芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

20,447 条型号记录

每页 20 条

AFT09S220-02NR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935312921528、单件重量 0.108683 oz。

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MMRF1320NR1

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935324934528、单件重量 0.057671 oz。

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MRF6V12500HSR5

NXP Semiconductors · 封装：NI-780S

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 0.96～1.215 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 110 V、增益 18.5 dB、输出功率 50 W，采用 NI-780S 封装。

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MRF8S7170NR3

NXP Semiconductors · 封装：OM-780-2

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 728～768 MHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 70 V、增益 19.4 dB、输出功率 50 W，采用 OM-780-2 封装。

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MMRF2010NR1

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935316208528、单件重量 0.058255 oz。

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AFT20P140-4WGNR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性是、型号别名 935320319528、单件重量 0.109254 oz。

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A2T21S260-12SR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935320716128、单件重量 0.162645 oz。

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MRF8S18210WGHSR3

NXP Semiconductors · 封装：NO-880XS-Gull-2

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1805～1995 MHz、技术 Si、增益 20 dB、输出功率 50 W、配置 Single、型号别名 935310994128，采用 NO-880XS-Gull-2 封装。

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A2T18S160W31SR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935316118128、单件重量 0.146722 oz。

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MHT1004GNR3

NXP Semiconductors · 封装：OM-780G-2L

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.45 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 3.7 A，采用 OM-780G-2L 封装。

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MRF6V3090NBR1

NXP Semiconductors · 封装：TO-270-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 0.47～0.86 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 115 V、增益 22 dB，采用 TO-270-4 封装。

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MRF8S7235NR3

NXP Semiconductors · 封装：OM-780-2

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 728～768 MHz、技术 Si、增益 21.8 dB、输出功率 63 W、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 OM-780-2 封装。

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MMRF1011HR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935320386178、单件重量 0.227150 oz。

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MRF8S9232NR3

NXP Semiconductors · 封装：OM-780-2

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 865～960 MHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 70 V、增益 18.1 dB、输出功率 63 W，采用 OM-780-2 封装。

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AFT09H310-03SR6

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、型号别名 935324687128、单件重量 0.301483 oz。

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A2T18S162W31GSR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935322254128、单件重量 0.146722 oz。

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AFT18S230SR3

NXP Semiconductors · 封装：NI-780S-6

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1805～1880 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、增益 21 dB、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 NI-780S-6 封装。

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AFT26H200W03SR6

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、型号别名 935311201128、单件重量 0.297695 oz。

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AFT09S282NR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性是、型号别名 935314885528、单件重量 0.108683 oz。

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A2T20H330W24NR6

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935316239528、单件重量 0.186998 oz。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。