芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

20,447 条型号记录

每页 20 条

AFV141KHR5

NXP Semiconductors · 封装：NI-1230H-4S-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.2～1.4 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.6 A，采用 NI-1230H-4S-4 封装。

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MMRF1009HR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935318134178、单件重量 0.168010 oz。

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AFT09S200W02NR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935311675528、单件重量 0.112771 oz。

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A2T07H310-24SR6

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935312272128、单件重量 0.177386 oz。

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MMRF1314GSR5

NXP Semiconductors · 封装：NI-1230GS-4L-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.2～1.4 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.6 A，采用 NI-1230GS-4L-4 封装。

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MRFE6VP6600GNR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935323761528、单件重量 0.107540 oz。

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MMRF1314HSR5

NXP Semiconductors · 封装：NI-1230S-4S-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.2～1.4 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.6 A，采用 NI-1230S-4S-4 封装。

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MMRF1008HSR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935311734178、单件重量 0.168010 oz。

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MRF6VP3091NBR5

NXP Semiconductors · 封装：TO-272

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 470～860 MHz、技术 Si、漏源击穿电压（Vds） 115 V、增益 24 dB、输出功率 90 W、最大工作温度 + 125 C，采用 TO-272 封装。

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A2T18S260W12NR3

NXP Semiconductors · 封装：OM-880X-2L2L-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1.805～1.88 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 3 A，采用 OM-880X-2L2L-4 封装。

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MRF6VP3091NBR1

NXP Semiconductors · 封装：TO-272

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 0.47～0.86 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 115 V、增益 21.8 dB、输出功率 18 W，采用 TO-272 封装。

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MMRF1018NR1

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935320384528、单件重量 0.058073 oz。

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A2T14H450-23NR6

NXP Semiconductors · 封装：OM-1230-4L2S

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1452～1511 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 3 A，采用 OM-1230-4L2S 封装。

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AFT23H200-4S2LR6

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2300 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、输出功率 200 W、配置 Single、型号别名 935311216128。

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MD7IC2012NR1

NXP Semiconductors · 封装：TO-270-WB-14

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2110～2170 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、连续漏极电流（Id） 70 mA、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 31.5 dB，采用 TO-270-WB-14 封装。

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MMRF5300NR5

NXP Semiconductors · 封装：OM-270-2

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.7～3.5 GHz、技术氮化镓（GaN）、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 70 mA，采用 OM-270-2 封装。

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MRF6VP3091NR1

NXP Semiconductors · 封装：TO-270

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 0.47～0.86 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 115 V、增益 21.8 dB、输出功率 18 W，采用 TO-270 封装。

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AFT21S230-12SR3

NXP Semiconductors · 封装：NI-780-2S2L

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、输出功率 230 W、型号别名 935314934128、单件重量 0.162645 oz，采用 NI-780-2S2L 封装。

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MMRF1007HR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935311569178、单件重量 0.464696 oz。

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A2T18H450W19SR6

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935318596128、单件重量 0.179054 oz。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。