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NXP Semiconductors · 封装:NI-1230
该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 1.8~600 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 130 V、增益 25 dB,采用 NI-1230 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
NXP Semiconductors · 封装:NI-1230
该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 1.8~600 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 130 V、增益 25 dB,采用 NI-1230 封装。NXP Semiconductors
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、型号别名 935311773178、单件重量 0.226635 oz。NXP Semiconductors · 封装:OM-780-4
该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 2 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 65 V、增益 18.9 dB,采用 OM-780-4 封装。NXP Semiconductors
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、型号别名 935315328178、单件重量 0.464036 oz。NXP Semiconductors · 封装:NI-1230S
该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 1.8~600 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 130 V、增益 25 dB,采用 NI-1230S 封装。NXP Semiconductors
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、型号别名 935320269178、单件重量 0.299419 oz。NXP Semiconductors
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、型号别名 935322369178、单件重量 0.303504 oz。NXP Semiconductors
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、型号别名 935318166178、单件重量 0.161213 oz。NXP Semiconductors
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、型号别名 935316174178、单件重量 0.302494 oz。NXP Semiconductors · 封装:TO-272-4
该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 0.7~1 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 70 V、增益 19.1 dB、输出功率 4 W,采用 TO-272-4 封装。NXP Semiconductors
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、湿敏性 是、型号别名 935320363528、单件重量 0.019330 oz。NXP Semiconductors
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935315212528、单件重量 0.019330 oz。NXP Semiconductors
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、型号别名 935320331178、单件重量 0.161213 oz。NXP Semiconductors · 封装:TO-270WB-14
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 978~1090 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流(Id) 1.6 A,采用 TO-270WB-14 封装。NXP Semiconductors · 封装:TO-270
该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 0.47~0.86 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 115 V、增益 21.8 dB、输出功率 18 W,采用 TO-270 封装。NXP Semiconductors
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、型号别名 935325901178、单件重量 0.465355 oz。NXP Semiconductors
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、型号别名 935320549128、单件重量 0.164793 oz。NXP Semiconductors
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是、型号别名 935317959528、单件重量 0.057666 oz。NXP Semiconductors · 封装:NI-1230S-4S
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 470~860 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流(Id) 2.8 A,采用 NI-1230S-4S 封装。NXP Semiconductors
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、型号别名 935314997178、单件重量 0.162645 oz。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。