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MRFE6VP5600HR5

NXP Semiconductors · 封装:NI-1230

该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 1.8~600 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 130 V、增益 25 dB,采用 NI-1230 封装。

MMRF1008HR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、型号别名 935311773178、单件重量 0.226635 oz。

AFT20P060-4NR3

NXP Semiconductors · 封装:OM-780-4

该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 2 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 65 V、增益 18.9 dB,采用 OM-780-4 封装。

MMRF1306HR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、型号别名 935315328178、单件重量 0.464036 oz。

MRFE6VP5600HSR5

NXP Semiconductors · 封装:NI-1230S

该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 1.8~600 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 130 V、增益 25 dB,采用 NI-1230S 封装。

MMRF1306HSR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、型号别名 935320269178、单件重量 0.299419 oz。

MMRF1023HSR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、型号别名 935322369178、单件重量 0.303504 oz。

MMRF1305HSR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、型号别名 935318166178、单件重量 0.161213 oz。

MMRF1024HSR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、型号别名 935316174178、单件重量 0.302494 oz。

MRF8P9040GNR1

NXP Semiconductors · 封装:TO-272-4

该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 0.7~1 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 70 V、增益 19.1 dB、输出功率 4 W,采用 TO-272-4 封装。

MMRF1004GNR1

NXP Semiconductors

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、湿敏性 是、型号别名 935320363528、单件重量 0.019330 oz。

MMRF1015GNR1

NXP Semiconductors

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935315212528、单件重量 0.019330 oz。

MMRF1310HSR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、型号别名 935320331178、单件重量 0.161213 oz。

AFIC10275NR5

NXP Semiconductors · 封装:TO-270WB-14

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 978~1090 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流(Id) 1.6 A,采用 TO-270WB-14 封装。

MRF6VP3091NR5

NXP Semiconductors · 封装:TO-270

该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 0.47~0.86 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 115 V、增益 21.8 dB、输出功率 18 W,采用 TO-270 封装。

MHT1001HR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、型号别名 935325901178、单件重量 0.465355 oz。

A2T21H100-25SR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、型号别名 935320549128、单件重量 0.164793 oz。

AFT09MP055GNR1

NXP Semiconductors

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是、型号别名 935317959528、单件重量 0.057666 oz。

MRFE8VP8600HSR5

NXP Semiconductors · 封装:NI-1230S-4S

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 470~860 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流(Id) 2.8 A,采用 NI-1230S-4S 封装。

AFT21S230SR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、型号别名 935314997178、单件重量 0.162645 oz。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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