MMRF1308HSR5
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935324811178、单件重量 0.299419 oz。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录PD85035STR1-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Straight-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 8 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerSO-10RF-Straight-4 封装。MRF13750HSR5
NXP Semiconductors · 封装：NI-1230S-4S
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 700～1300 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.8 A，采用 NI-1230S-4S 封装。PXAC243502FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37275-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2300～2400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37275-4 封装。PXAD214218FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37275G-6/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2110～2170 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37275G-6/2 封装。PXAC182908FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37275G-6/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1805～1880 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37275G-6/2 封装。A2T27S007NT1
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935316293515、单件重量 0 oz。PTRA094252FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 746～960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 110 V，采用 H-37248-4 封装。MRF8VP13350NR5
NXP / Freescale · 封装：OM-780-4L
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 700～1300 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 1.3 A，采用 OM-780-4L 封装。SD2933-03W
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET。PTFB212503FL-V2-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-34288-4/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2110～2170 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-34288-4/2 封装。MRF24301HSR5
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935368606178。PXAC182002FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1805～1880 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。MRFE6VP6300GSR5
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935321994178、单件重量 0.161213 oz。MRF300AN-50MHZ
NXP Semiconductors · 封装：TO-247-3L
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 50 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） - 0.5 V, +133 V、增益 27.3 dB，采用 TO-247-3L 封装。MRF300AN-144MHZ
NXP Semiconductors · 封装：TO-247-3L
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 144 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） - 0.5 V, +133 V、增益 23 dB，采用 TO-247-3L 封装。MRFE6VS25GN-960
NXP / Freescale · 封装：TO-270-2
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 142 V、增益 27 dB，采用 TO-270-2 封装。MRF300AN-13MHZ
NXP Semiconductors · 封装：TO-247-3L
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 13 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） - 0.5 V, +133 V、增益 28.7 dB，采用 TO-247-3L 封装。A3V09H521-24SR6
NXP Semiconductors · 封装：NI-1230S-4L2L
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 720 to 960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） - 0.5 V, +100 V、增益 18.6 dB，采用 NI-1230S-4L2L 封装。IXZR18N50
IXYS · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 19 A、漏源击穿电压（Vds） 500 V，采用 TO-247-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。