PAT3060H-C-2DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括最大频率 3 GHz、技术 Si、衰减 2 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.2、原产国家或地区 日本。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录ATS2012-09DB-FD-T1
Susumu · 封装：0805 (2012 metric)
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 55 GHz、类型 Chip Attenuator、衰减 9 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.8，采用 0805 (2012 metric) 封装。ATS2012-10DB-FD-T05
Susumu · 封装：0805 (2012 metric)
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 55 GHz、类型 Chip Attenuator、衰减 10 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.8，采用 0805 (2012 metric) 封装。PAT0816-C-7DB-T5
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括最大频率 10 GHz、技术 Si、衰减 7 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.5、原产国家或地区 日本。PAT1632-C-2DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。PAT1632-C-3DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括最大频率 3 GHz、技术 Si、衰减 3 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.3、原产国家或地区 日本。PAT1632-C-4DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。PAT1632-C-5DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。PAT1632-C-6DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括最大频率 3 GHz、技术 Si、衰减 6 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.3、原产国家或地区 日本。PAT3060H-C-3DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括最大频率 3 GHz、技术 Si、衰减 3 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.2、原产国家或地区 日本。PXV1220S-6DBN6-T02
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。PAT3060H-C-5DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。PAT3060H-C-6DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。PBV1632S-6DBN1-B
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括原产国家或地区 日本。PXV1220S-5DBN6-T02
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。PXV1220S-5DBN7-T02
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。PXV1220S-5DBN8-T02
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。PXV1220S-6DBN4-T02
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。PXV1220S-6DBN5-T02
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。D50AA20Z4
TTM Technologies
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 2.3 GHz、最小频率 0 Hz、技术 Si、衰减 20 dB、原产国家或地区 美国。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。