PTFC261402FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2620～2690 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录AFIC31025GNR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270WBG-17
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2400～3100 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 200 mA，采用 TO-270WBG-17 封装。PTVA120251EA-V2-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-36265-2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 500～1400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 105 V，采用 H-36265-2 封装。PXAC261212FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2496～2690 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 280 mA，采用 H-37248-4 封装。AFIC31025NR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270WB-17
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2400～3100 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 200 mA，采用 TO-270WB-17 封装。A3T21H455W23SR6
NXP Semiconductors · 封装：ACP-1230S-4L2S
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2110～2200 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 3.6 A，采用 ACP-1230S-4L2S 封装。PXAC201602FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1880 MHz to 1920 MHz , 2010 MHz to 2025 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。PXAC241002FC-V1-R2
Wolfspeed / Cree
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。PXAC261002FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2490～2690 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。AFG24S100HR5
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935320738128、单件重量 0.119748 oz。PTFB091802FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 920～960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。PTVA030121EA-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-36265-2
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 390～450 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、漏源击穿电压（Vds） 105 V、漏源导通电阻（Rds On） 2.8 Ω、增益 25 dB，采用 H-36265-2 封装。A3T21H400W23SR6
NXP Semiconductors · 封装：ACP-1230S-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2110～2200 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 3.2 A，采用 ACP-1230S-4 封装。PTAC240502FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2300～2400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。MHT2025NR1
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2300～2690 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、输出功率 2.5 W、型号别名 935341634528、单件重量 0.055740 oz。PXAC201202FC-V2-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1800～2200 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 240 mA，采用 H-37248-4 封装。A2T18S166W12SR3
NXP Semiconductors · 封装：NI-780S-2L2L
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1805～1995 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1.6 A，采用 NI-780S-2L2L 封装。SD2932BW
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET。PTFB090901EA-V2-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-36265-2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 920～960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-36265-2 封装。TGF2929-FS
Qorvo
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 3.5 GHz、技术 GaN SiC、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 12 A、漏源击穿电压（Vds） 28 V。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。