PXAD214218FV-V1-R2
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37275G-6/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2110～2170 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37275G-6/2 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录A3G18H500-04SR3
NXP Semiconductors · 封装：NI-780S-4L
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1805～1880 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 200 mA，采用 NI-780S-4L 封装。PXAD184218FV-V1-R2
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37275G-6/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1805～1880 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37275G-6/2 封装。PTFB213004F-V2-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37275-6/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2110～2170 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37275-6/2 封装。PTVA092407NF-V1-R5
Wolfspeed / Cree · 封装：PG-HBSOF-4-1
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 869～960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 105 V，采用 PG-HBSOF-4-1 封装。A3G22H400-04SR3
NXP Semiconductors · 封装：NI-780S-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1800～2200 MHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 29.7 mA，采用 NI-780S-4 封装。MHT2001NR1
NXP / Freescale · 封装：TO-270WB-14
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 902～928 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 33.8 dB、最大工作温度 + 150 C，采用 TO-270WB-14 封装。PXAC182908FV-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37275G-6/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1805～1880 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37275G-6/2 封装。PXAC192908FV-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37275G-6/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1930～1995 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37275G-6/2 封装。MRF085HR3
NXP Semiconductors · 封装：NI-650H-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.8～1215 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 210 mA，采用 NI-650H-4 封装。A2T21H450W19SR6
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935323762128、单件重量 0.178310 oz。MRF24300GNR3
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.45 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、输出功率 300 W、耗散功率（Pd） 833 W。A3T18H408W24SR3
NXP Semiconductors · 封装：NI-780S-4L2L
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1805～1880 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 NI-780S-4L2L 封装。PTRA093302FC-V1-R2
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 746～768 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 105 V，采用 H-37248-4 封装。PTFB072707FH-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-34288G-4/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 728～768 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-34288G-4/2 封装。A2T26H165-24SR3
NXP / Freescale · 封装：NI-780S-4L2L-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2.496～2.69 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 700 mA, 1.2 A，采用 NI-780S-4L2L-6 封装。A2G22S190-01SR3
NXP Semiconductors · 封装：NI-400S-2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1800～2200 MHz、技术 GaN Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 19 mA，采用 NI-400S-2 封装。MRF8P8300HR6
NXP / Freescale · 封装：NI-1230
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 0.79～0.82 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 70 V、增益 20.9 dB、输出功率 96 W，采用 NI-1230 封装。MHT2000NR1
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935318243528、单件重量 0.058206 oz。MRF8P8300HSR6
NXP / Freescale · 封装：NI-1230S
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 0.79～0.82 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 70 V、增益 20.9 dB、输出功率 96 W，采用 NI-1230S 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。