A2T23H160-24SR3
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935326016128、单件重量 0.164793 oz。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录PXFC192207FH-V3-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37288G-4/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1805～1990 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37288G-4/2 封装。MHT2025GNR1
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2300～2690 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、输出功率 2.5 W、型号别名 935341633528、单件重量 0.021097 oz。D2021UK
Semelab / TT Electronics · 封装：SO-8
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 3 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 SO-8 封装。D1208UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DK
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 20 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 DK 封装。D2022UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DQ
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 DQ 封装。D1218UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DD
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 30 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 DD 封装。D1034UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DD
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 10 A、漏源击穿电压（Vds） 70 V，采用 DD 封装。D5002UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DA
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 6 A、漏源击穿电压（Vds） 125 V，采用 DA 封装。D2213UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DK
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 8 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 DK 封装。D1018UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DD
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 15 A、漏源击穿电压（Vds） 70 V，采用 DD 封装。D2004UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DK
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 DK 封装。D5001UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DA
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 3 A、漏源击穿电压（Vds） 125 V，采用 DA 封装。D2210UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DP
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 16 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 DP 封装。D1025UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DT
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 25 A、漏源击穿电压（Vds） 70 V，采用 DT 封装。D2089UK
Semelab / TT Electronics · 封装：E16
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 E16 封装。D2230UK
Semelab / TT Electronics · 封装：F-0127-8
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 F-0127-8 封装。D1004UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DT
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 20 A、漏源击穿电压（Vds） 70 V，采用 DT 封装。D1031UK
Semelab / TT Electronics · 封装：F-0127-8
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源击穿电压（Vds） 70 V，采用 F-0127-8 封装。D2294UK
Semelab / TT Electronics · 封装：SOT-171-6
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 12 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 SOT-171-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。