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型号列表

20,447 条型号记录
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AFV121KGSR5

NXP / Freescale

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、型号别名 935313048178、单件重量 0.300472 oz。

PTFB212503FL-V2-R250

Wolfspeed / Cree · 封装:H-34288-4/2

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2110~2170 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 65 V,采用 H-34288-4/2 封装。

PTVA123501EC-V2-R0

Wolfspeed / Cree · 封装:H-36248-2

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1200~1400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流(Id) 150 mA,采用 H-36248-2 封装。

MRF8P20140WHSR3

NXP / Freescale · 封装:NI-780S-4

该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 1.88~2.025 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 65 V、增益 16 dB、输出功率 24 W,采用 NI-780S-4 封装。

AFT26P100-4WGSR3

NXP / Freescale

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935323496128、单件重量 0.114884 oz。

MRFE6VP6600GNR3

NXP / Freescale

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935323761528、单件重量 0.107540 oz。

A2T18S160W31SR3

NXP / Freescale

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、型号别名 935316118128、单件重量 0.146722 oz。

AFV121KHSR5

NXP / Freescale

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、型号别名 935320778178、单件重量 0.300472 oz。

MMRF1316NR1

NXP / Freescale

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935315431528、单件重量 0.057671 oz。

AFV141KHSR5

NXP / Freescale · 封装:NI-1230S-4S-4

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.2~1.4 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流(Id) 2.6 A,采用 NI-1230S-4S-4 封装。

MMRF1314HSR5

NXP / Freescale · 封装:NI-1230S-4S-4

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.2~1.4 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流(Id) 2.6 A,采用 NI-1230S-4S-4 封装。

MHT2000GNR1

NXP / Freescale

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935311913528、单件重量 0.056385 oz。

A2T08VD021NT1

NXP Semiconductors · 封装:PQFN-24

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 728~960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流(Id) 80 mA,采用 PQFN-24 封装。

A2T18H455W23NR6

NXP / Freescale

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、型号别名 935318707564、单件重量 0.188345 oz。

MRF8HP21080HR3

NXP / Freescale · 封装:NI-780-4

该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 2.11~2.17 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 65 V、增益 14.5 dB、输出功率 16 W,采用 NI-780-4 封装。

PTVA120121M-V1-R1K

Wolfspeed / Cree · 封装:PG-SON-10

该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 500~1400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、漏源击穿电压(Vds) 105 V、漏源导通电阻(Rds On) 2.96 Ω、增益 21.5 dB,采用 PG-SON-10 封装。

A2T18H450W19SR6

NXP / Freescale

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、型号别名 935318596128、单件重量 0.179054 oz。

MMRF1018NR1

NXP / Freescale

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935320384528、单件重量 0.058073 oz。

A2T18S162W31SR3

NXP / Freescale

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、型号别名 935325964128、单件重量 0.146722 oz。

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