PTFB213208FV-V2-R2
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37275G-6/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2110～2170 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37275G-6/2 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录PTFB183404F-V2-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37275-6/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1805～1880 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37275-6/2 封装。MRF151GC
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：SOT-262A
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 40 A、漏源击穿电压（Vds） 125 V，采用 SOT-262A 封装。PTVA102001EA-V1-R2
Wolfspeed / Cree · 封装：H-36265-2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 960～1600 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 105 V，采用 H-36265-2 封装。PTRA082808NF-V1-R5
Wolfspeed / Cree · 封装：PG-HBSOF-6-2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 790～820 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 105 V，采用 PG-HBSOF-6-2 封装。STAC1011-350F
STMicroelectronics · 封装：STAC265B
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1030～1090 MHz、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 80 V、输出功率 370 W，采用 STAC265B 封装。AFT09S200W02GNR3
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935320369528、单件重量 0.112771 oz。A2T21H141W24SR3
NXP Semiconductors · 封装：NI-780S-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2110～2200 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 1 A，采用 NI-780S-4 封装。PTFC210202FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1800～2200 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。AFT18S230SR5
NXP / Freescale · 封装：NI-780S-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1.805～1.88 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1.8 A，采用 NI-780S-6 封装。PTFC270051M-V2-R1K
Wolfspeed / Cree · 封装：PG-SON-10
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 900～2700 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 PG-SON-10 封装。RFM12U7X(TE12L,Q)
Toshiba · 封装：PW-X-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 20 V，采用 PW-X-4 封装。PXAC241002FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。UF28100H
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2SK3079ATE12LQ
Toshiba · 封装：PW-X-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 470 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 3 A、漏源击穿电压（Vds） 10 V，采用 PW-X-4 封装。VRF148AMP
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。AGR09180EF
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。MRF6VP121KHSR5
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935310191178、单件重量 0.301398 oz。MRF8P29300HR6
NXP / Freescale · 封装：NI-1230
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.7～2.9 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 13.3 dB、输出功率 320 W，采用 NI-1230 封装。A2T18S260W12NR3
NXP / Freescale · 封装：OM-880X-2L2L-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1.805～1.88 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 3 A，采用 OM-880X-2L2L-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。