PXFC192207FH-V3-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37288G-4/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1805～1990 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37288G-4/2 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录PTFB192503FL-V2-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-34288-4/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1930～1990 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-34288-4/2 封装。PTAC240502FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2300～2400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。ST9045C
STMicroelectronics · 封装：M243-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1.5 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 9 A，采用 M243-3 封装。PTFB090901FA-V2-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37265-2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 920～960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37265-2 封装。PTFB090901EA-V2-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-36265-2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 920～960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-36265-2 封装。MHE1003NR3
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935316198528、单件重量 0.108683 oz。MMRF1312GSR5
NXP / Freescale · 封装：NI-1230GS-4L-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 900 MHz to 1.215 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.6 A，采用 NI-1230GS-4L-4 封装。AGR26180EF
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。MMRF1314GSR5
NXP / Freescale · 封装：NI-1230GS-4L-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.2～1.4 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.6 A，采用 NI-1230GS-4L-4 封装。VRF157FLMP
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。PTFB182503FL-V2-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-34288-4/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1805～1880 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-34288-4/2 封装。PTAB182002FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1805～1880 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。PTFB211503FL-V2-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-34288-4/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2110～2170 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-34288-4/2 封装。PXAC201202FC-V2-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1800～2200 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 240 mA，采用 H-37248-4 封装。PTFB091802FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 920～960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。PTAC210802FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1805～2170 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。PTFC260202FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2495～2690 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。VRF3933MP
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET。DU1260T
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。