PTFB210801FA-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37265-2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2110～2170 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37265-2 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录PTAC210802FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1805～2170 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。PXAC210552FC-V1-R2
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1805～2170 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。PTFC260202FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2495～2690 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。PTFB090901FA-V2-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37265-2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 920～960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37265-2 封装。PTFB193404F-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37275-6/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1930～1990 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37275-6/2 封装。PXAD184218FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37275G-6/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1805～1880 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37275G-6/2 封装。PTFB213004F-V2-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37275-6/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2110～2170 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37275-6/2 封装。PXAC192908FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37275G-6/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1930～1995 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37275G-6/2 封装。PTFB072707FH-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-34288G-4/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 728～768 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-34288G-4/2 封装。PTFC261402FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2620～2690 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。PXAC261212FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2496～2690 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 280 mA，采用 H-37248-4 封装。PTRA093302FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 746～768 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 105 V，采用 H-37248-4 封装。PXAC213308FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37275G-6/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2110～2200 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37275G-6/2 封装。RFM08U9X(TE12L,Q)
Toshiba · 封装：PW-X-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源击穿电压（Vds） 36 V，采用 PW-X-4 封装。PXAC260602FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2620～2690 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。PTAC260302FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248H-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2620～2690 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248H-4 封装。SD2931-15W
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET。PXAC210552FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1805～2170 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。PTFC210202FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1800～2200 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。