PXAC241702FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2300～2400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录PTFB201402FC-V2-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2010～2025 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。PTFB210801FA-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37265-2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2110～2170 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37265-2 封装。AGR19125EF
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。AGR21125EF
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。AGR21060EF
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。PTVA123501FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1200～1400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 150 mA，采用 H-37248-2 封装。PTVA035002EV-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-36275-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 390～450 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 105 V，采用 H-36275-4 封装。PTVA101K02EV-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-36275-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1030 MHz / 1090 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 105 V，采用 H-36275-4 封装。AFV10700GSR5
NXP Semiconductors · 封装：NI-780GS-4L
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1030～1090 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.6 A，采用 NI-780GS-4L 封装。AFT09S200W02SR3
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935318364128、单件重量 0.115628 oz。PTVA082407NF-V1-R5
Wolfspeed / Cree · 封装：PG-HBSOF-4-1
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 746～821 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 105 V，采用 PG-HBSOF-4-1 封装。PTFB211503FL-V2-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-34288-4/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2110～2170 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-34288-4/2 封装。PTFB201402FC-V2-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2010～2025 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。PXAC260602FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2620～2690 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。0405SC-2200M
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。PTFB213208FV-V2-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37275G-6/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2110～2170 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37275G-6/2 封装。PTFB093608FV-V3-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37275G-6/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 920～960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37275G-6/2 封装。PTAC260302FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248H-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2620～2690 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248H-4 封装。PTFB091507FH-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-34288-4/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 920～960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-34288-4/2 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。