D1028UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DR
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 30 A、漏源击穿电压（Vds） 70 V，采用 DR 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录AGR09090EF
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。AGR18090EF
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。D2003UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DQ
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 DQ 封装。D1040UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DR
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 108 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 35 A、漏源击穿电压（Vds） 70 V，采用 DR 封装。A2T08VD020NT1
NXP / Freescale · 封装：PQFN-24
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 728～960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 64 mA，采用 PQFN-24 封装。PD85035TR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 8 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。PTFC262157FH-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-34288G-4/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2620～2690 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-34288G-4/2 封装。A2T21S161W12SR3
NXP Semiconductors · 封装：NI-780S-2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2110～2200 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1.5 A，采用 NI-780S-2 封装。PTVA047002EV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。MRF151GB
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：SOT-262A
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 40 A、漏源击穿电压（Vds） 125 V，采用 SOT-262A 封装。AGR19180EF
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET。PXAC261002FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2490～2690 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。PTAB182002FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1805～1880 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。PTVA104501EH-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-33288-2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 960～1215 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 105 V，采用 H-33288-2 封装。PXAC241702FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2300～2400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。PXFC191507FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248G-4/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1805～1990 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248G-4/2 封装。PTFB091507FH-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-34288-4/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 920～960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-34288-4/2 封装。PXFC191507FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248G-4/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1805～1990 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248G-4/2 封装。PXAC200902FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1805～2170 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。