D2001UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DP
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 DP 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录D1023UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DT
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 15 A、漏源击穿电压（Vds） 70 V，采用 DT 封装。D1013UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DP
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源击穿电压（Vds） 70 V，采用 DP 封装。D1005UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DM
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 20 A、漏源击穿电压（Vds） 70 V，采用 DM 封装。D1014UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DP
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 10 A、漏源击穿电压（Vds） 70 V，采用 DP 封装。D2012UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DP
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 DP 封装。D1021UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DK
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 20 A、漏源击穿电压（Vds） 70 V，采用 DK 封装。D1003UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DA
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 15 A、漏源击穿电压（Vds） 70 V，采用 DA 封装。D1016UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DQ
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源击穿电压（Vds） 70 V，采用 DQ 封装。NE5550979A-EV04-A
CEL
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。D2219UK
Semelab / TT Electronics · 封装：SO-8
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 SO-8 封装。D2082UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DK
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1.6 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 DK 封装。D1022UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DK
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 15 A、漏源击穿电压（Vds） 70 V，采用 DK 封装。D2007UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DA
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 DA 封装。D1010UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DR
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 20 A、漏源击穿电压（Vds） 70 V，采用 DR 封装。D1001UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DA
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源击穿电压（Vds） 70 V，采用 DA 封装。D1008UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DK
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 10 A、漏源击穿电压（Vds） 70 V，采用 DK 封装。D2225UK
Semelab / TT Electronics · 封装：SO-8
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 SO-8 封装。D1207UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DQ
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 10 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 DQ 封装。D1020UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DR
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 25 A、漏源击穿电压（Vds） 70 V，采用 DR 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。