芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

20,447 条型号记录

每页 20 条

A2T18H410-24SR6

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935323767128、单件重量 0.303504 oz。

查看资料询价

MRF8S7235NR3

NXP / Freescale · 封装：OM-780-2

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 728～768 MHz、技术 Si、增益 21.8 dB、输出功率 63 W、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 OM-780-2 封装。

查看资料询价

AFT09S220-02NR3

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935312921528、单件重量 0.108683 oz。

查看资料询价

AFT21S240-12SR3

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935320365128、单件重量 0 oz。

查看资料询价

AFT26H160-4S4R3

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、型号别名 935317925128、单件重量 0.124919 oz。

查看资料询价

A3T19H455W23SR6

NXP Semiconductors · 封装：ACP-1230S-4L2S

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1930～1990 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 3.6 A，采用 ACP-1230S-4L2S 封装。

查看资料询价

A3T21H450W23SR6

NXP Semiconductors · 封装：ACP-1230S-4L2S

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2110～2200 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 3.6 A，采用 ACP-1230S-4L2S 封装。

查看资料询价

A2V09H525-04NR6

NXP / Freescale · 封装：OM-1230-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 720～960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.8 A，采用 OM-1230-4 封装。

查看资料询价

AFIC10275NR1

NXP / Freescale · 封装：TO-270WB-14

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 978～1090 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1.6 A，采用 TO-270WB-14 封装。

查看资料询价

A2T18S262W12NR3

NXP Semiconductors · 封装：OM-880X-2

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1805～1880 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 3.2 A，采用 OM-880X-2 封装。

查看资料询价

AFT21S230SR3

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、型号别名 935314997128、单件重量 0.162645 oz。

查看资料询价

AFT09S282NR3

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性是、型号别名 935314885528、单件重量 0.108683 oz。

查看资料询价

MRF8S18210WHSR3

NXP / Freescale · 封装：NO-880XS-2

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1805～1995 MHz、技术 Si、增益 20 dB、输出功率 50 W、配置 Single、型号别名 935314716128，采用 NO-880XS-2 封装。

查看资料询价

PD57060S-E

STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Straight-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 7 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 PowerSO-10RF-Straight-4 封装。

查看资料询价

MMRF1317HR5

NXP / Freescale · 封装：NI-1230H-4S-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.02～1.1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.6 A，采用 NI-1230H-4S-4 封装。

查看资料询价

A2T18S162W31GSR3

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935322254128、单件重量 0.146722 oz。

查看资料询价

MRFE6S9125NBR1

NXP / Freescale · 封装：TO-272-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 880 MHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） - 500 mV, 66 V、增益 20.2 dB，采用 TO-272-4 封装。

查看资料询价

MHT1004NR3

NXP / Freescale · 封装：OM-780-2L

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.45 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 3.7 A，采用 OM-780-2L 封装。

查看资料询价

MRF8S9200NR3

NXP / Freescale · 封装：OM-780-2

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 920～960 MHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 70 V、增益 19.5 dB、输出功率 58 W，采用 OM-780-2 封装。

查看资料询价

PTFB192503FL-V2-R250

Wolfspeed / Cree · 封装：H-34288-4/2

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1930～1990 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-34288-4/2 封装。

查看资料询价

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。