芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

20,447 条型号记录

每页 20 条

AFT23H200-4S2LR6

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2300 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、输出功率 200 W、配置 Single、型号别名 935311216128。

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AFT21S230-12SR3

NXP / Freescale · 封装：NI-780-2S2L

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、输出功率 230 W、型号别名 935314934128、单件重量 0.162645 oz，采用 NI-780-2S2L 封装。

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MMRF1018NBR1

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935324763528、单件重量 0.067412 oz。

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MRF8S18210WGHSR3

NXP / Freescale · 封装：NO-880XS-Gull-2

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1805～1995 MHz、技术 Si、增益 20 dB、输出功率 50 W、配置 Single、型号别名 935310994128，采用 NO-880XS-Gull-2 封装。

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AFV141KGSR5

NXP / Freescale · 封装：NI-1230GS-4L-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.2～1.4 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.6 A，采用 NI-1230GS-4L-4 封装。

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AFT18H356-24SR6

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、型号别名 935311199128、单件重量 0.302494 oz。

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AFV141KHR5

NXP / Freescale · 封装：NI-1230H-4S-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.2～1.4 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.6 A，采用 NI-1230H-4S-4 封装。

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AFT23H160-25SR3

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935320681128、单件重量 0.124919 oz。

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MRF6V12500GSR5

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935326078178、单件重量 0.166952 oz。

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MRF6VP3091NBR5

NXP / Freescale · 封装：TO-272

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 470～860 MHz、技术 Si、漏源击穿电压（Vds） 115 V、增益 24 dB、输出功率 90 W、最大工作温度 + 125 C，采用 TO-272 封装。

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MMRF1007HSR5

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935320316178、单件重量 0.301398 oz。

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MHT1803B

NXP Semiconductors · 封装：TO-247-3

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.8～50 MHz、晶体管极性 N-Channel、增益 28.2 dB、输出功率 300 W、最大工作温度 + 150 C、型号别名 935364485174，采用 TO-247-3 封装。

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MRF8VP13350NR3

NXP / Freescale · 封装：OM-780-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 700～1300 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 1.3 A，采用 OM-780-4 封装。

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MRF8P9210NR3

NXP / Freescale · 封装：OM-780-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 0.92～0.96 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 70 V、增益 16.9 dB、输出功率 63 W，采用 OM-780-4 封装。

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MMRF1009HSR5

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935315335178、单件重量 0.168010 oz。

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AFT21S232SR3

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、型号别名 935311357128、单件重量 0.162645 oz。

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AFT09S200W02NR3

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935311675528、单件重量 0.112771 oz。

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MHT1002NR3

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 915 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、增益 20 dB、输出功率 350 W、湿敏性是。

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AFT18S260W31GSR3

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935312554128、单件重量 0.146722 oz。

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A2T21S260-12SR3

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935320716128、单件重量 0.162645 oz。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。