芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

20,447 条型号记录

每页 20 条

MMRF1314HR5

NXP / Freescale · 封装：NI-1230H-4S-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.2～1.4 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.6 A，采用 NI-1230H-4S-4 封装。

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MRFE6VP6600NR3

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935312987528、单件重量 0.107540 oz。

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AFT20S015NR1

NXP / Freescale · 封装：TO-270-2

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2111～2170 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 133 mA、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 TO-270-2 封装。

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A2T26H160-24SR3

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935315428128、单件重量 0.164793 oz。

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MRF7S15100HSR3

NXP / Freescale · 封装：NI-780S

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 NI-780S 封装。

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A2T18S260-12SR3

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935318801128、单件重量 0 oz。

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A2T07H310-24SR6

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935312272128、单件重量 0.177386 oz。

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MRF8S9232NR3

NXP / Freescale · 封装：OM-780-2

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 865～960 MHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 70 V、增益 18.1 dB、输出功率 63 W，采用 OM-780-2 封装。

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AFT18S230SR3

NXP / Freescale · 封装：NI-780S-6

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1805～1880 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、增益 21 dB、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 NI-780S-6 封装。

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AFT09H310-04GSR6

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、型号别名 935321981128、单件重量 0.301483 oz。

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MRF6V12500HSR5

NXP / Freescale · 封装：NI-780S

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 0.96～1.215 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 110 V、增益 18.5 dB、输出功率 50 W，采用 NI-780S 封装。

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MRF8S7170NR3

NXP / Freescale · 封装：OM-780-2

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 728～768 MHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 70 V、增益 19.4 dB、输出功率 50 W，采用 OM-780-2 封装。

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A2T21S260W12NR3

NXP / Freescale · 封装：OM-880X-2L2L

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2110～2200 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 3.2 A，采用 OM-880X-2L2L 封装。

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A2T09VD300NR1

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935316219528、单件重量 0.056054 oz。

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MMRF1020-04GNR3

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935318203528、单件重量 0.108111 oz。

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MRF6VP3091NR1

NXP / Freescale · 封装：TO-270

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 0.47～0.86 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 115 V、增益 21.8 dB、输出功率 18 W，采用 TO-270 封装。

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MMRF1013HR5

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935322103178、单件重量 0.465355 oz。

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MMRF1007HR5

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935311569178、单件重量 0.464696 oz。

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AFT18S290-13SR3

NXP / Freescale · 封装：NI-880XS-2L4S

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1995 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） - 500 mV, 65 V、增益 18.2 dB，采用 NI-880XS-2L4S 封装。

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MHT1004GNR3

NXP / Freescale · 封装：OM-780G-2L

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.45 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 3.7 A，采用 OM-780G-2L 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。