芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

20,447 条型号记录

每页 20 条

MMRF1317HSR5

NXP / Freescale · 封装：NI-1230S-4S-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.02～1.1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.6 A，采用 NI-1230S-4S-4 封装。

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AFT18S230-12NR3

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935312781528、单件重量 0.112249 oz。

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MMRF1312HR5

NXP / Freescale · 封装：NI-1230H-4S-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 900 MHz to 1.215 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.6 A，采用 NI-1230H-4S-4 封装。

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A2V09H400-04NR3

NXP / Freescale · 封装：OM-780-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 720～960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.1 A，采用 OM-780-4 封装。

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AFV09P350-04NR3

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935322054528、单件重量 0.108111 oz。

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A2T26H300-24SR6

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935318674128、单件重量 0.303504 oz。

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AFV09P350-04GNR3

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935318141528、单件重量 0.108111 oz。

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A2T18H160-24SR3

NXP / Freescale · 封装：NI-780S-4L2L-6

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.805～1.88 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 600 mA, 1 A，采用 NI-780S-4L2L-6 封装。

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PXAC182002FC-V1-R250

Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1805～1880 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。

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MRFE6VP61K25GNR6

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935315986528、单件重量 0.186296 oz。

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PTRA084808NF-V1-R5

Wolfspeed / Cree · 封装：PG-HBSOF-6-2

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 734～821 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 105 V，采用 PG-HBSOF-6-2 封装。

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A2T09VD250NR1

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935320819528、单件重量 0.056054 oz。

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MRF6V3090NBR1

NXP / Freescale · 封装：TO-270-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 0.47～0.86 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 115 V、增益 22 dB，采用 TO-270-4 封装。

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MMRF1020-04NR3

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935315414528、单件重量 0.108111 oz。

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PTVA084007NF-V1-R5

Wolfspeed / Cree · 封装：PG-HBSOF-4-2

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 755～805 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 105 V，采用 PG-HBSOF-4-2 封装。

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MRFE6S9125NR1

NXP / Freescale · 封装：TO-270-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 880 MHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） - 500 mV, 66 V、增益 20.2 dB，采用 TO-270-4 封装。

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AFT18H357-24SR6

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性是、型号别名 935320362128、单件重量 0.303504 oz。

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PTRA097008NB-V1-R2

Wolfspeed / Cree · 封装：PG-HB2SOF-6-1

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 920～960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 600 mA，采用 PG-HB2SOF-6-1 封装。

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MRF6V2150NBR1

NXP / Freescale · 封装：TO-272-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 220 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 110 V、增益 25 dB，采用 TO-272-4 封装。

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MRF6V3090NR1

NXP / Freescale · 封装：TO-272-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 0.47～0.86 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 115 V、增益 22 dB，采用 TO-272-4 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。