A2T27S020GNR1
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935331769528、单件重量 0.019330 oz。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录PD55003TR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.5 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。AGR09130EF
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。A2T27S020NR1
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935331771528、单件重量 0.018773 oz。STAC0912-250
STMicroelectronics · 封装：STAC265B
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 960～1215 MHz、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 80 V、增益 16 dB，采用 STAC265B 封装。UF2840P
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET。SD3933
STMicroelectronics · 封装：M177
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 200 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 20 A、漏源击穿电压（Vds） 250 V，采用 M177 封装。MRF6V14300HSR5
NXP / Freescale · 封装：NI-780S
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.2～1.4 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、增益 18 dB，采用 NI-780S 封装。RFM00U7U(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 100 mA、漏源击穿电压（Vds） 20 V，采用 SOT-343-4 封装。MRF6V13250HSR5
NXP / Freescale · 封装：NI-780S
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.3 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 120 V、增益 20 dB，采用 NI-780S 封装。A2T20H160W04NR3
NXP / Freescale · 封装：OM-780-4L-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.88～2.025 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 17 dB、输出功率 28 W，采用 OM-780-4L-4 封装。AFT26HW050SR3
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2620～2690 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、增益 15 dB、输出功率 9 W、型号别名 935311158128。PD57018TR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.5 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。AFT27S012NT1
NXP Semiconductors · 封装：PLD-1.5W
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 728 MH to 2700 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 154 mA，采用 PLD-1.5W 封装。MMRF1306HR5
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935315328178、单件重量 0.464036 oz。MMRF1008HR5
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935311773178、单件重量 0.226635 oz。DU28200M
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。PXAC200902FC-V1-R2
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1805～2170 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。PD85015TR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。A2T09D400-23NR6
NXP / Freescale · 封装：OM-1230-4L2S-7
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 716～960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.7 A，采用 OM-1230-4L2S-7 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。