AFIC10275NR5
NXP / Freescale · 封装：TO-270WB-14
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 978～1090 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1.6 A，采用 TO-270WB-14 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MHT1108NT1
NXP Semiconductors · 封装：DFN-16
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2450 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 143 mA、漏源击穿电压（Vds） - 500 mV, 65 V，采用 DFN-16 封装。AFT20P060-4NR3
NXP / Freescale · 封装：OM-780-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 18.9 dB，采用 OM-780-4 封装。STAC2943
STMicroelectronics · 封装：STAC177B
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 30～175 MHz、技术 Si、连续漏极电流（Id） 40 A、漏源击穿电压（Vds） 130 V、增益 25 dB、输出功率 450 W，采用 STAC177B 封装。PD85025-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 7 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。MRF8P9040GNR1
NXP / Freescale · 封装：TO-272-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 0.7～1 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 70 V、增益 19.1 dB、输出功率 4 W，采用 TO-272-4 封装。A3T21H360W23SR6
NXP Semiconductors · 封装：ACP-1230S-4L2S
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2110～2200 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.4 A，采用 ACP-1230S-4L2S 封装。MRF6V14300HR5
NXP / Freescale · 封装：NI-780
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.2～1.4 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、增益 18 dB，采用 NI-780 封装。SD3932
STMicroelectronics · 封装：M244
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 250 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 20 A、漏源击穿电压（Vds） 250 V，采用 M244 封装。PD57030S-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Straight-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 PowerSO-10RF-Straight-4 封装。MMRF1315NR1
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935323557528、单件重量 0.018679 oz。AFT09MP055NR1
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是、型号别名 935315139528、单件重量 0.057671 oz。MRF8P9040NR1
NXP / Freescale · 封装：TO-272-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 700～1000 MHz、技术 Si、漏源击穿电压（Vds） - 500 mV, 70 V、增益 20.5 dB、湿敏性 是、栅源电压（Vgs） - 6 V, 10 V，采用 TO-272-4 封装。MMRF1005HR5
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935315356178、单件重量 0.226635 oz。MRFE6VP61K25GSR5
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、型号别名 935311183178、单件重量 0.265546 oz。A2T20H330W24NR6
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935316239528、单件重量 0.186998 oz。A3T18H400W23SR6
NXP Semiconductors · 封装：ACP-1230S-4L2S
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1805～1880 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 3.2 A，采用 ACP-1230S-4L2S 封装。MRFE6VP5600HSR5
NXP / Freescale · 封装：NI-1230S
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.8～600 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 130 V、增益 25 dB，采用 NI-1230S 封装。PD57045-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。MRF6S20010NR1
NXP / Freescale · 封装：TO-270
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 68 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 TO-270 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。