PD55015TR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录AFT20P060-4GNR3
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、通道模式 Enhancement、湿敏性 是、型号别名 935322069528、单件重量 0.108683 oz。PD55025TR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-2
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 7 A、漏源击穿电压（Vds） 12.5 V，采用 PowerSO-10RF-2 封装。MMRF1310HR5
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935318225178、单件重量 0.225605 oz。STAC150V2-350E
STMicroelectronics · 封装：STAC177B
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 40.68 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1 uA、漏源击穿电压（Vds） 700 V，采用 STAC177B 封装。MRF24301HS-2450
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935370079598。AGR19090EF
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。AGR18045EF
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。AGR18060EF
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。MRF7S24250N-3STG
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935345449598、单件重量 0.017637 oz。MRF1K50H-TF5
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935371359598。MRF24300-1STG
NXP / Freescale · 封装：OM-780-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935372358598，采用 OM-780-2 封装。MRFE6VP6300-230
NXP / Freescale · 封装：NI-780
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935372371598，采用 NI-780 封装。MRFX1K80N-230MHZ
NXP Semiconductors · 封装：OM-1230-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.8～400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 43 A，采用 OM-1230-4 封装。AGR09070EF
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。AGR21090EF
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。AGR21030EF
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。AGR18030EF
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。AGR19045EF
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。AGR09030EF
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 895 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4.25 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。