PD57060-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 7 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录PD57030-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。STAC2933
STMicroelectronics · 封装：STAC177B
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 30～175 MHz、技术 Si、连续漏极电流（Id） 40 A、漏源击穿电压（Vds） 130 V、增益 23.5 dB、输出功率 400 W，采用 STAC177B 封装。STAC2942FW
STMicroelectronics · 封装：STAC244F
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 250 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 40 A、漏源击穿电压（Vds） 130 V，采用 STAC244F 封装。SD57030
STMicroelectronics · 封装：M243-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 M243-3 封装。PD55008S-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerSO-10 封装。PD84006-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源击穿电压（Vds） 25 V，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。D2203UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DQ
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 DQ 封装。ARF468AG
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。ARF466FL
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。VRF161MP
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。ARF469BG
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。ARF469AG
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。ARF468BG
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。PTVA102001EA-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-36265-2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 960～1600 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 105 V，采用 H-36265-2 封装。MRF085HR5
NXP Semiconductors · 封装：NI-650H-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.8～1215 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 210 mA，采用 NI-650H-4 封装。MRF24300NR3
NXP / Freescale · 封装：OM-780-2L
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.45 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 3.7 A，采用 OM-780-2L 封装。ARF1511
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。ARF448BG
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。MMRF1312HSR5
NXP / Freescale · 封装：NI-1230S-4S-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 900 MHz to 1.215 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.6 A，采用 NI-1230S-4S-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。