MRF171
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：211-07-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 200 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4.5 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 211-07-3 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录ARF1519
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。PD85035-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-12
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 870 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 8 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerSO-12 封装。MRF275G
MACOM · 封装：375-04
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 100～500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 26 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 375-04 封装。STAC2942BW
STMicroelectronics · 封装：STAC244B
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 250 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 40 A、漏源击穿电压（Vds） 130 V，采用 STAC244B 封装。MRF6V10010NR4
NXP / Freescale · 封装：PLD-1.5
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 960～1400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、增益 25 dB，采用 PLD-1.5 封装。VRF2944
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、工作频率 30 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 50 A。MRF275L
MACOM · 封装：333-04
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 13 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 333-04 封装。A2T07D160W04SR3
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935315451128、单件重量 0.108859 oz。MRF6VP3091NBR1
NXP / Freescale · 封装：TO-272
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 0.47～0.86 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 115 V、增益 21.8 dB、输出功率 18 W，采用 TO-272 封装。MRF8S9220HSR3
NXP / Freescale · 封装：NI-780S
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 920～960 MHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 70 V、增益 19.4 dB、输出功率 65 W，采用 NI-780S 封装。MRF154
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET。MRF157
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET。SD2933
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET。MRF141G
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。MRF151
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。MRF173
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET。MRF137
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。475-102N21A-00
IXYS · 封装：SMD-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 30 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 24 A，采用 SMD-6 封装。AFT31150NR5
NXP Semiconductors · 封装：OM-780-2L
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2700～3100 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1.8 A，采用 OM-780-2L 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。