MMRF1304NR1
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935318138528、单件重量 0.018679 oz。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录SD57045-01
STMicroelectronics · 封装：M250
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 M250 封装。SD2931-12MR
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET。MMRF1004NR1
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、湿敏性 是、型号别名 935315358528、单件重量 0.018679 oz。2SK3078A(TE12L,F)
Toshiba · 封装：PW-Mini-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 470 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 500 mA、漏源击穿电压（Vds） 10 V，采用 PW-Mini-3 封装。VRF3933
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、工作频率 30 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 20 A。MMRF5014HR5
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935320584128、单件重量 0.119748 oz。MMRF1304LR5
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935311475178、单件重量 0.103628 oz。MRFE6VP6300HR5
NXP Semiconductors · 封装：NI-780-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.8～600 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 100 mA、漏源击穿电压（Vds） 130 V，采用 NI-780-4 封装。MRF6V2010NR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 450 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 110 V、增益 23.9 dB，采用 TO-270 封装。MRFE6VS25LR5
NXP Semiconductors · 封装：NI-360-2
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.8～2000 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 140 V、增益 25.9 dB，采用 NI-360-2 封装。MHT1006NT1
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935311886515、单件重量 0.009877 oz。MRFE6VP61K25NR6
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935316053528、单件重量 0.186296 oz。MRF8S9120NR3
NXP Semiconductors · 封装：OM-780-2
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 0.7～1 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 70 V、增益 20 dB、输出功率 33 W，采用 OM-780-2 封装。MRF1511NT1
NXP Semiconductors · 封装：PLD-1.5
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PLD-1.5 封装。MRFE6VP100HSR5
NXP Semiconductors · 封装：NI-780S-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1800～2000 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、增益 27 dB、输出功率 100 W、配置 Single，采用 NI-780S-4 封装。AFT05MP075GNR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270-WB-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 136～150 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、最小工作温度 - 40 C，采用 TO-270-WB-4 封装。MRFE6VP8600HR5
NXP Semiconductors · 封装：NI-1230
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 470～860 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 140 V、增益 18.8 dB，采用 NI-1230 封装。MMRF1304NR1
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935318138528、单件重量 0.018679 oz。MMRF1004NR1
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、湿敏性 是、型号别名 935315358528、单件重量 0.018679 oz。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。