PD84006L-E
STMicroelectronics · 封装：PowerFLAT (5x5)
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源击穿电压（Vds） 25 V，采用 PowerFLAT (5x5) 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MRF151A
MACOM · 封装：244-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 16 A、漏源击穿电压（Vds） 125 V，采用 244-4 封装。FH2164
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET。PD84008L-E
STMicroelectronics · 封装：PowerFLAT (5x5)
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 7 A、漏源击穿电压（Vds） 25 V，采用 PowerFLAT (5x5) 封装。MHT1006NT1
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935311886515、单件重量 0.009877 oz。VRF157FL
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。UF2840G
MACOM · 封装：319-07
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 100～500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 10 dB，采用 319-07 封装。SD2943W
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是。AFT09MS031GNR1
NXP / Freescale · 封装：TO-270-2
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 764～941 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、漏源击穿电压（Vds） - 500 mV, 40 V、增益 18.5 dB、湿敏性 是，采用 TO-270-2 封装。ARF1510
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 175 C、工作频率 40 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 8 A。MRF6V12250HR5
NXP / Freescale · 封装：NI-780
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 0.96～1.215 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 110 V、增益 20.3 dB，采用 NI-780 封装。MMRF1019NR4
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935315321531、单件重量 0.009877 oz。MRFE6VP61K25HSR5
NXP / Freescale · 封装：NI-1230S
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.8 MHz, 600 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 10 uA、漏源击穿电压（Vds） 133 V，采用 NI-1230S 封装。MRFE6VP8600HSR5
NXP / Freescale · 封装：NI-1230S
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 470～860 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 140 V、增益 18.8 dB，采用 NI-1230S 封装。VRF154FL
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。MMRF1015NR1
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935323518528、单件重量 0.018679 oz。PD55003S-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Straight-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.5 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerSO-10RF-Straight-4 封装。PD85025TR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 7 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。SD4933MR
STMicroelectronics · 封装：M177MR-5
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 100 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 40 A、漏源击穿电压（Vds） 200 V，采用 M177MR-5 封装。STAC4933
STMicroelectronics · 封装：STAC177B
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 30～175 MHz、技术 Si、连续漏极电流（Id） 40 A、漏源击穿电压（Vds） 200 V、增益 24 dB、输出功率 300 W，采用 STAC177B 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。