AFT05MS004NT1
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、型号别名 935315307147、单件重量 0.001792 oz。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录AFT09MS007NT1
NXP / Freescale · 封装：PLD-1.5
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 870 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 400 mV, 30 V、增益 15.2 dB，采用 PLD-1.5 封装。MRF150
MACOM · 封装：221-11-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 150 MHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 16 A、漏源击穿电压（Vds） 125 V、增益 17 dB，采用 221-11-3 封装。MRF157
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 80 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 60 A、漏源击穿电压（Vds） 125 V。MRF151
MACOM · 封装：221-11-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 16 A、漏源击穿电压（Vds） 125 V、增益 13 dB，采用 221-11-3 封装。MRF148A
MACOM · 封装：211-07-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 6 A、漏源击穿电压（Vds） 125 V、增益 18 dB，采用 211-07-3 封装。MRF173
MACOM · 封装：221-11-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 200 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 9 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 221-11-3 封装。MRF166C
MACOM · 封装：319-07
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 319-07 封装。MRF136
MACOM · 封装：211-07-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 400 MHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.5 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 16 dB，采用 211-07-3 封装。MRF134
MACOM · 封装：211-07-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 900 mA、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 211-07-3 封装。SD2942
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：M244
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 250 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 40 A、漏源击穿电压（Vds） 130 V，采用 M244 封装。SD2932
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：M244
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 250 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 40 A、漏源击穿电压（Vds） 125 V，采用 M244 封装。MW6S004NT1
NXP / Freescale · 封装：PLD-1.5-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 68 V、增益 18 dB、输出功率 4 W，采用 PLD-1.5-3 封装。BF1105R,215
NXP Semiconductors · 封装：SOT-143R-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Small Signal MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 30 mA、漏源击穿电压（Vds） 7 V, 7 V、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-143R-4 封装。PD55015-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。MRFE6VP6300HR5
NXP / Freescale · 封装：NI-780-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.8～600 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 100 mA、漏源击穿电压（Vds） 130 V，采用 NI-780-4 封装。MRFE6VP100HR5
NXP / Freescale · 封装：NI-780-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1800～2000 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 141 V、增益 26 dB，采用 NI-780-4 封装。MRFE6S9045NR1
NXP / Freescale · 封装：TO-270
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 66 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 TO-270 封装。MRFE6VS25NR1
NXP / Freescale · 封装：TO-270-2
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.8～2000 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、漏源击穿电压（Vds） - 500 mV, 133 V、增益 27 dB、湿敏性 是，采用 TO-270-2 封装。PD84002
STMicroelectronics · 封装：SOT-89-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2 A、漏源击穿电压（Vds） 25 V，采用 SOT-89-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。