芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

20,447 条型号记录

每页 20 条

PD85015-E

STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。

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PD20010-E

STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。

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PD54008-E

STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源击穿电压（Vds） 25 V，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。

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AFT09MS031NR1

NXP / Freescale · 封装：TO-270-2

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 764～941 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、漏源击穿电压（Vds） - 500 mV, 40 V、增益 18.5 dB、湿敏性是，采用 TO-270-2 封装。

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MMRF1304LR5

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935311475178、单件重量 0.103628 oz。

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AFT20S015GNR1

NXP / Freescale · 封装：TO-270-2

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 100 MHz to 3.6 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 132 mA，采用 TO-270-2 封装。

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MRF158

MACOM · 封装：305A-01

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 500 mA、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 305A-01 封装。

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AFT05MP075GNR1

NXP / Freescale · 封装：TO-270-WB-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 136～150 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、最小工作温度 - 40 C，采用 TO-270-WB-4 封装。

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PD55025S-E

STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Straight-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 7 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerSO-10RF-Straight-4 封装。

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ARF476FL

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 175 C、工作频率 150 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 10 A。

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MRFE6VP100HSR5

NXP / Freescale · 封装：NI-780S-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1800～2000 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、增益 27 dB、输出功率 100 W、配置 Single，采用 NI-780S-4 封装。

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SD57030-01

STMicroelectronics · 封装：M250

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 M250 封装。

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MRF8S9120NR3

NXP / Freescale · 封装：OM-780-2

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 0.7～1 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 70 V、增益 20 dB、输出功率 33 W，采用 OM-780-2 封装。

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MRFE6VS25LR5

NXP / Freescale · 封装：NI-360-2

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.8～2000 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 140 V、增益 25.9 dB，采用 NI-360-2 封装。

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MRF6S20010GNR1

NXP / Freescale · 封装：TO-270

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 68 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 TO-270 封装。

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TGF2929-FL

Qorvo

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 3.5 GHz、技术 GaN SiC、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 12 A、漏源击穿电压（Vds） 28 V。

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ARF1505

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 175 C、工作频率 40 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 25 A。

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TGF3020-SM

Qorvo

该型号为晶体管，主要参数包括技术 GaN SiC、湿敏性是、型号别名 1121726。

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BLF177

Advanced Semiconductor, Inc.

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。

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BLF861A

Advanced Semiconductor, Inc.

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。