MRF151G
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 40 A、漏源击穿电压（Vds） 125 V。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录2SK3074TE12LF
Toshiba · 封装：PW-Mini-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 530 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1 A、漏源击穿电压（Vds） 30 V，采用 PW-Mini-3 封装。MRFE6VP61K25NR6
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935316053528、单件重量 0.186296 oz。MRF6V2150NR1
NXP / Freescale · 封装：TO-270-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 220 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 110 V、增益 25 dB，采用 TO-270-4 封装。MRFE6VP5300NR1
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是、型号别名 935312013528、单件重量 0.057671 oz。MMRF5014HR5
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935320584128、单件重量 0.119748 oz。SD2942W
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET。MRF1K50HR5
NXP / Freescale · 封装：NI-1230H-4S
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.8～500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.4 A，采用 NI-1230H-4S 封装。MRFE6VP61K25HR5
NXP / Freescale · 封装：NI-1230
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.8 MHz, 600 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 10 uA、漏源击穿电压（Vds） 133 V，采用 NI-1230 封装。MRFE6VP5600HR6
NXP / Freescale · 封装：NI-1230
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.8～600 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 130 V、增益 25 dB，采用 NI-1230 封装。MRFE6VP61K25HR6
NXP / Freescale · 封装：NI-1230
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.8 MHz, 600 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 10 uA、漏源击穿电压（Vds） 133 V，采用 NI-1230 封装。MRFE6VS25GNR1
NXP / Freescale · 封装：TO-270-2
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.8～2 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 142 V、增益 27 dB，采用 TO-270-2 封装。MRFE6S9060NR1
NXP / Freescale · 封装：TO-270
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 66 V、增益 21.1 dB、最小工作温度 - 65 C，采用 TO-270 封装。AFT05MS003NT1
NXP / Freescale · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1.8～941 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.6 A，采用 SOT-89-3 封装。AFT05MS006NT1
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是、型号别名 935311718515、单件重量 0.009877 oz。2SK4037(TE12L,Q)
Toshiba · 封装：PW-X-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 470 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 3 A、漏源击穿电压（Vds） 12 V，采用 PW-X-4 封装。AFT09MS015NT1
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是、型号别名 935324771515、单件重量 0.009877 oz。2SK3476(TE12L,Q)
Toshiba · 封装：PW-X-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 3 A、漏源击穿电压（Vds） 20 V，采用 PW-X-4 封装。2SK3075(TE12L,Q)
Toshiba · 封装：PW-X-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源击穿电压（Vds） 30 V，采用 PW-X-4 封装。MRF1518NT1
NXP / Freescale · 封装：PLD-1.5
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PLD-1.5 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。