ADRF5700BCCZN
Analog Devices · 封装：LGA-20
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、最大频率 22 GHz、最小频率 100 MHz、技术 Si、类型 Silicon Digital Attenuator，采用 LGA-20 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录ADRF5700BCCZN-R7
Analog Devices · 封装：LGA-20
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、最大频率 22 GHz、最小频率 100 MHz、技术 Si、类型 Silicon Digital Attenuator，采用 LGA-20 封装。ADRF5714BCCZN
Analog Devices · 封装：LGA-12
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 - 3.3 V, 3.3 V、最大频率 30 GHz、最小频率 100 MHz、技术 Si、类型 Silicon Digital Attenuator，采用 LGA-12 封装。ADRF5714BCCZN-R7
Analog Devices · 封装：LGA-12
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 - 3.3 V, 3.3 V、最大频率 30 GHz、最小频率 100 MHz、技术 Si、类型 Silicon Digital Attenuator，采用 LGA-12 封装。ADRF5715BCCZN
Analog Devices · 封装：LGA-12
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 - 3.3 V, 3.3 V、最大频率 30 GHz、最小频率 1 MHz、技术 Si、类型 Silicon Digital Attenuator，采用 LGA-12 封装。ADRF5715BCCZN-R7
Analog Devices · 封装：LGA-12
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 - 3.3 V, 3.3 V、最大频率 30 GHz、最小频率 1 MHz、技术 Si、类型 Silicon Digital Attenuator，采用 LGA-12 封装。ADRF5716BCCZN
Analog Devices · 封装：LGA-20
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 - 3.3 V, 3.3 V、最大频率 30 GHz、最小频率 100 MHz、技术 Si、类型 Silicon Digital Attenuator，采用 LGA-20 封装。ADRF5716BCCZN-R7
Analog Devices · 封装：LGA-20
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 - 3.3 V, 3.3 V、最大频率 30 GHz、最小频率 100 MHz、技术 Si、类型 Silicon Digital Attenuator，采用 LGA-20 封装。ADRF5717BCCZN
Analog Devices · 封装：LGA-20
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 - 3.3 V, 3.3 V、最大频率 30 GHz、最小频率 1 MHz、技术 Si、类型 Silicon Digital Attenuator，采用 LGA-20 封装。ADRF5717BCCZN-R7
Analog Devices · 封装：LGA-20
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 - 3.3 V, 3.3 V、最大频率 30 GHz、最小频率 1 MHz、技术 Si、类型 Silicon Digital Attenuator，采用 LGA-20 封装。ADRF5740BCCZN
Analog Devices · 封装：LGA-16
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.15～3.45 V、最大频率 60 GHz、最小频率 10 MHz、技术 Si、类型 Silicon Digital Attenuator，采用 LGA-16 封装。ADRF5740BCCZN-R7
Analog Devices · 封装：LGA-16
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.15～3.45 V、最大频率 60 GHz、最小频率 10 MHz、技术 Si、类型 Silicon Digital Attenuator，采用 LGA-16 封装。HMC-C018
Analog Devices
该型号为衰减器，主要参数包括工作电源电压 - 5 V、原产国家或地区 美国、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C。HMC-C025
Analog Devices
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、最大频率 13 GHz、技术 GaAs、衰减 31.5 dB、阻抗 50 Ω。HMC1095LP4E
Analog Devices · 封装：QFN-EP-24
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V, 5 V、最大频率 3 GHz、最小频率 0 Hz、技术 GaAs、类型 Digital Attenuator，采用 QFN-EP-24 封装。HMC273AMS10GE
Analog Devices · 封装：MSOP-10
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3～5.4 V、最大频率 3.8 GHz、最小频率 700 MHz、技术 GaAs、类型 Digital Attenuator，采用 MSOP-10 封装。HMC273AMS10GETR
Analog Devices · 封装：MSOP-10
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3～5.4 V、最大频率 3.8 GHz、最小频率 700 MHz、技术 GaAs、类型 Digital Attenuator，采用 MSOP-10 封装。HMC468ALP3E
Analog Devices · 封装：QFN-16
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、最大频率 6 GHz、最小频率 0 Hz、技术 GaAs、类型 Digital Attenuator，采用 QFN-16 封装。HMC468ALP3ETR
Analog Devices · 封装：QFN-16
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、最大频率 6 GHz、最小频率 0 Hz、技术 GaAs、类型 Digital Attenuator，采用 QFN-16 封装。HMC470ALP3E
Analog Devices · 封装：QFN-16
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、最大频率 3 GHz、最小频率 0 Hz、技术 GaAs、类型 Digital Attenuator，采用 QFN-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。