PXV1220S-8DBN5-T02
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。射频与无线
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
20,447 条型号记录PXV1220S-8DBN6-T02
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。PXV1220S-8DBN7-T02
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。PXV1220S-8DBN8-T02
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。PXV1220S-9DBN1-T02
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。PXV1220S-9DBN2-T02
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。PXV1220S-9DBN3-T02
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。PXV1220S-9DBN4-T02
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。PXV1220S-9DBN6-T02
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。PXV1220S-9DBN7-T02
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。PXV1220S-9DBN8-T02
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。D10AA4Z4
TTM Technologies
该型号为衰减器，主要参数包括原产国家或地区 中国。D10AA5Z4
TTM Technologies
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 3 GHz、技术 Ceramic、衰减 5 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.25。D10AA7Z4
TTM Technologies
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 3 GHz、技术 Ceramic、衰减 7 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.25。D10AAxxZ4
TTM Technologies
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si。XRA10AA2SES
TTM Technologies
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 6 GHz、技术 AIN、类型 Chip Attenuator、衰减 2 dB、阻抗 50 Ω。XRA10AA30SES
TTM Technologies
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 6 GHz、技术 AIN、类型 Chip Attenuator、衰减 30 dB、阻抗 50 Ω。XRA10AA5SES
TTM Technologies
该型号为衰减器，主要参数包括原产国家或地区 中国。XRA10AAxxSES
TTM Technologies
该型号为衰减器。XRA30AA30SES
TTM Technologies
该型号为衰减器，主要参数包括原产国家或地区 中国。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。