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型号列表

20,447 条型号记录
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AFE8220TPZPQ1

Texas Instruments · 封装:HTQFP-100

主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 105 C、最大工作温度 + 105 C、认证等级 AEC-Q100、最小工作温度 - 40 C、湿敏性 是、单件重量 0.017990 oz,采用 HTQFP-100 封装。

AFE7444IABJ

Texas Instruments · 封装:FCBGA-400

主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、最大数据速率 15 Gb/s、工作频率 10 MHz to 6 GHz、类型 RF Front End、最大工作温度 + 85 C、带宽 800 MHz,采用 FCBGA-400 封装。

AFE5401TRGCRQ1

Texas Instruments · 封装:VQFN-64

主要参数包括工作电源电压 3~3.6 V、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、类型 Radar、最大工作温度 + 105 C、认证等级 AEC-Q100、特性 Low Power,采用 VQFN-64 封装。

AFE7686IABJ

Texas Instruments · 封装:FCBGA-400

主要参数包括工作电源电压 - 1.8 V, 1 V, 1.15 V, 1.85 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、最大数据速率 1500 MS/s、工作频率 5.2 GHz、类型 RF Front End、最大工作温度 + 85 C,采用 FCBGA-400 封装。

AFE7685IABJ

Texas Instruments · 封装:FCBGA-400

主要参数包括工作电源电压 - 1.8 V, 1 V, 1.15 V, 1.85 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、最大数据速率 750 Mb/s、工作频率 5.2 GHz、类型 RF Front End、最大工作温度 + 85 C,采用 FCBGA-400 封装。

QPF4588SR

Qorvo · 封装:QFN-24

主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 5 GHz、类型 Wi-Fi、噪声系数(NF) 2 dB、工作电源电流 20 mA、增益 33 dB,采用 QFN-24 封装。

HV7355K6-G M937

Microchip Technology · 封装:QFN-56

主要参数包括工作电源电压 5 V、工作电源电流 160 mA、最大工作温度 + 125 C、最小工作温度 - 40 C、单件重量 0.006751 oz,采用 QFN-56 封装。

MFRC63102HN,118

NXP Semiconductors · 封装:HVQFN-32

主要参数包括型号别名 935297333118、单件重量 0.002282 oz,采用 HVQFN-32 封装。

AFE8220IPZPQ1

Texas Instruments · 封装:HTQFP-100

主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 105 C、最大工作温度 + 105 C、认证等级 AEC-Q100、最小工作温度 - 40 C、湿敏性 是、单件重量 0.017990 oz,采用 HTQFP-100 封装。

AFE8221IRFPQ1

Texas Instruments · 封装:HTQFP-144

主要参数包括工作电源电压 1.6 V to 3.6 V, 3.14 V to 3.6 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、类型 AM, FM、工作电源电流 65 mA, 130 mA、最大工作温度 + 85 C、认证等级 AEC-Q100,采用 HTQFP-144 封装。

MAX2009ETI+T

Maxim Integrated

主要参数包括工作电源电压 4.75~5.25 V、工作频率 1200~2500 MHz、噪声系数(NF) 7.5 dB、工作电源电流 5.8 mA、最大工作温度 + 85 C、高度 0.73 mm。

AD8285WBCPZ-RL

Analog Devices · 封装:Radar

主要参数包括类型 Radar、最大工作温度 + 105 C、认证等级 AEC-Q100、最小工作温度 - 40 C,采用 Radar 封装。

AD8284WCSVZ

Analog Devices · 封装:TQFP-64

主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 3.3 V、工作频率 15 MHz、类型 Radar、噪声系数(NF) 7.1 dB、工作电源电流 65 mA、最大工作温度 + 105 C,采用 TQFP-64 封装。

AFE7422IABJ

Texas Instruments · 封装:FCBGA-400

主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、最大数据速率 15 Gb/s、工作频率 10 MHz to 6 GHz、类型 RF Front End、最大工作温度 + 85 C、带宽 1500 MHz,采用 FCBGA-400 封装。

SLRC61003HNY

NXP Semiconductors · 封装:HVQFN-32

主要参数包括工作电源电压 2.5~5.5 V、最大数据速率 10 Mb/s、工作频率 27.12 MHz、技术 硅、类型 RF Front End、工作电源电流 17 mA,采用 HVQFN-32 封装。

MAX2010ETI+T

Maxim Integrated

主要参数包括工作电源电压 4.75~5.25 V、工作频率 500~1100 MHz、噪声系数(NF) 5.5 dB、工作电源电流 5.8 mA、最大工作温度 + 85 C、高度 0.73 mm。

CC2590RGVRG4

Texas Instruments · 封装:VQFN-16

主要参数包括工作电源电压 2~3.6 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 2.4 GHz、技术 Proprietary 2.4 GHz、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C,采用 VQFN-16 封装。

PGA5807ARGCR

Texas Instruments · 封装:VQFN-64

主要参数包括工作电源电压 3.13~3.6 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、放大器类型 PGA、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、湿敏性 是,采用 VQFN-64 封装。

ADC32RF82IRMPT

Texas Instruments · 封装:VQFN-72

主要参数包括工作电源电压 1.15 V, 1.9 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、最大数据速率 12.5 Gb/s、工作频率 4 GHz、技术 硅、类型 RF Front End,采用 VQFN-72 封装。

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