MAX2014EUA+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括技术 Si、类型 Logarithmic Detector/Controller、原产国家或地区 菲律宾、型号别名 MAX2014，采用 UMAX-8 封装。射频与无线
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
20,447 条型号记录MAX2014EUA+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.25 V、频率范围 50 MHz to 1 GHz、技术 Si、类型 Logarithmic Detector/Controller、动态范围（dB） 75 dB、配置 Single，采用 UMAX-8 封装。MAX2014ETA+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TDFN-8
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.25 V、频率范围 50 MHz to 1 GHz、技术 Si、类型 Logarithmic Detector/Controller、动态范围（dB） 75 dB、配置 Single，采用 TDFN-8 封装。LTC5597IDC#TRPBF
Analog Devices · 封装：DFN-8
主要参数包括类型 RMS Power Detector、原产国家或地区 TH，采用 DFN-8 封装。LTC5597IDC#TRMPBF
Analog Devices · 封装：DFN-8
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、频率范围 100 MHz to 70 GHz、技术 Si、类型 RMS Power Detector、动态范围（dB） 35 dB、配置 Single，采用 DFN-8 封装。LTC5597HDC#TRPBF
Analog Devices · 封装：DFN-8
主要参数包括类型 RMS Power Detector、原产国家或地区 TH，采用 DFN-8 封装。LTC5597HDC#TRMPBF
Analog Devices · 封装：DFN-8
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、频率范围 100 MHz to 70 GHz、技术 Si、类型 RMS Power Detector、动态范围（dB） 35 dB、配置 Single，采用 DFN-8 封装。ADL5507ACBZ
Analog Devices · 封装：WLCSP-6
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、频率范围 10 MHz to 12 GHz、技术 Si、类型 Wide-Band Logarithmic RF Power Detector、动态范围（dB） 55 dB、配置 Single，采用 WLCSP-6 封装。ADL5507ACBZ-R7
Analog Devices · 封装：WLCSP-6
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、频率范围 10 MHz to 12 GHz、技术 Si、类型 Wide-Band Logarithmic RF Power Detector、动态范围（dB） 55 dB、配置 Single，采用 WLCSP-6 封装。ADL5960ACCZ
Analog Devices · 封装：LGA-26
主要参数包括工作电源电压 5 V、频率范围 10 MHz to 20 GHz、类型 RF Power Detector、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、晶圆制造国家或地区 中国台湾，采用 LGA-26 封装。ADL5960ACCZ-R2
Analog Devices · 封装：LGA-26
主要参数包括工作电源电压 5 V、频率范围 10 MHz to 20 GHz、类型 RF Power Detector、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、原产国家或地区 韩国，采用 LGA-26 封装。ADL5960ACCZ-R7
Analog Devices · 封装：LGA-26
主要参数包括工作电源电压 5 V、频率范围 10 MHz to 20 GHz、类型 RF Power Detector、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、原产国家或地区 韩国，采用 LGA-26 封装。ADL6010CHIPS-SX
Analog Devices
主要参数包括技术 Si、类型 Envelope Detector、原产国家或地区 美国。ADL6012ACPZN
Analog Devices · 封装：LFCSP-10
主要参数包括工作电源电压 3.15～5.25 V、频率范围 2～67 GHz、技术 Si、类型 Envelope Detector、配置 Single、最大工作温度 + 125 C，采用 LFCSP-10 封装。ADL6012ACPZN-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-10
主要参数包括技术 Si、类型 Envelope Detector、原产国家或地区 韩国，采用 LFCSP-10 封装。ADL6012SCPZN
Analog Devices · 封装：LFCSP-10
主要参数包括类型 Envelope Detector、原产国家或地区 韩国，采用 LFCSP-10 封装。MO86571
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si、类型 Waveguide Detector、配置 Single、最大工作温度 + 70 C、最小工作温度 - 30 C、原产国家或地区 美国。PFD1K
Microchip Technology · 封装：QFN-40
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、频率范围 10 MHz to 40 GHz、技术 Si、类型 Frequency Detector IC、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-40 封装。PFD1K/TR
Microchip Technology
主要参数包括类型 Frequency Detector IC。FMMT6016
Fairview Microwave
主要参数包括频率范围 2～6 GHz、典型电压灵敏度 1000 mV/mW、最大工作温度 + 115 C、最小工作温度 - 65 C、单件重量 0.420800 oz。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。