LTC4401-2EMS8#TRPBF
Analog Devices · 封装：MSOP-8
采用 MSOP-8 封装。射频与无线
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
20,447 条型号记录LTC5535ES6#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOT-6
主要参数包括高度 1 mm，采用 SOT-6 封装。LTC5532ES6#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOT-6
主要参数包括高度 1 mm，采用 SOT-6 封装。2085-4022-00
MACOM
RF DetectorLTC5564IUD#TRPBF
Analog Devices · 封装：QFN-16
采用 QFN-16 封装。LT5581IDDB#TRPBF
Analog Devices · 封装：DFN-8
采用 DFN-8 封装。LTC1757A-1EMS8#TRPBF
Analog Devices · 封装：MSOP-8
采用 MSOP-8 封装。LTC5532EDC#TRPBF
Analog Devices · 封装：DFN-6
采用 DFN-6 封装。LTC5536ES6#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOT-6
主要参数包括高度 1 mm，采用 SOT-6 封装。LTC4402-2EMS#TRPBF
Analog Devices · 封装：MSOP-10
采用 MSOP-10 封装。LTC1757A-2EMS#TRPBF
Analog Devices · 封装：MSOP-10
采用 MSOP-10 封装。LTC4403-2EMS#TRPBF
Analog Devices · 封装：MSOP-10
采用 MSOP-10 封装。LTC5564HUD#TRPBF
Analog Devices · 封装：QFN-16
采用 QFN-16 封装。LTC5533EDE#TRPBF
Analog Devices · 封装：DFN-12
采用 DFN-12 封装。LT5570IDD#TRPBF
Analog Devices · 封装：DFN-10
采用 DFN-10 封装。LTC5582IDD#TRPBF
Analog Devices · 封装：DFN-10
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、频率范围 40 MHz to 10 GHz、类型 RMS Power Detector、动态范围（dB） 57 dB、配置 Single、最大工作温度 + 105 C，采用 DFN-10 封装。LTC5596HDC#TRMPBF
Analog Devices · 封装：DFN-8
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、频率范围 100 MHz to 40 GHz、类型 RMS Power Detector、动态范围（dB） 35 dB、配置 Single、最大工作温度 + 125 C，采用 DFN-8 封装。LTC5582HDD#TRPBF
Analog Devices · 封装：DFN-10
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、频率范围 40 MHz to 10 GHz、类型 RMS Power Detector、动态范围（dB） 57 dB、配置 Single、最大工作温度 + 125 C，采用 DFN-10 封装。LTC5596IDC#TRPBF
Analog Devices · 封装：DFN-8
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、频率范围 100 MHz to 40 GHz、类型 RMS Power Detector、动态范围（dB） 35 dB、配置 Single、最大工作温度 + 105 C，采用 DFN-8 封装。LTC5596HDC#TRPBF
Analog Devices · 封装：DFN-8
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、频率范围 100 MHz to 40 GHz、类型 RMS Power Detector、动态范围（dB） 35 dB、配置 Single、最大工作温度 + 125 C，采用 DFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。