HMC1030LP5ETR
Analog Devices / Hittite · 封装:QFN-32
主要参数包括工作电源电压 5 V、频率范围 DC to 3.9 GHz、动态范围(dB) 70 dB、配置 Dual、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C,采用 QFN-32 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Analog Devices / Hittite · 封装:QFN-32
主要参数包括工作电源电压 5 V、频率范围 DC to 3.9 GHz、动态范围(dB) 70 dB、配置 Dual、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C,采用 QFN-32 封装。Analog Devices
RF Detector Log Det Controller , 0.001 - 10.0 GHzAnalog Devices · 封装:LFCSP-6
主要参数包括工作电源电压 5 V、频率范围 0.5~43.5 GHz、类型 Envelope Detector、动态范围(dB) 45 dB、最大二极管电容 100 pF、最大工作温度 + 125 C,采用 LFCSP-6 封装。Analog Devices
主要参数包括工作电源电压 2.7~5.5 V、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 30 C。Analog Devices · 封装:WLCSP-6
主要参数包括工作电源电压 2.7~5.5 V、类型 Detector/Controller、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、单件重量 0.002328 oz,采用 WLCSP-6 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-16
主要参数包括频率范围 10~10000 MHz、类型 RMS Power Detector、配置 Single、最大工作温度 + 125 C、最小工作温度 - 55 C、耗散功率(Pd) 550 mW,采用 LFCSP-16 封装。Analog Devices / Hittite · 封装:QFN-24
主要参数包括工作电源电压 2.7~5.5 V、频率范围 10~4000 MHz、类型 Logarithmic Detector/Controller、动态范围(dB) 75 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C,采用 QFN-24 封装。Analog Devices
RF Detector RMS TruPwr DetectorsAnalog Devices · 封装:WLCSP-6
主要参数包括工作电源电压 2.5~3.3 V、频率范围 6000 MHz、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.4 mm、长度 1.39 mm,采用 WLCSP-6 封装。Analog Devices · 封装:MSOP-8
主要参数包括工作电源电压 2.7~5.5 V、类型 Logarithmic Amplifiers、动态范围(dB) 45 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、耗散功率(Pd) 200 mW,采用 MSOP-8 封装。Analog Devices / Hittite · 封装:QFN-24
主要参数包括工作电源电压 2.7~5.5 V、频率范围 50~4000 MHz、类型 Logarithmic Detector/Controller、动态范围(dB) 75 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C,采用 QFN-24 封装。Analog Devices
RF Detector 71-86GHz PWR DETAnalog Devices · 封装:LFCSP-32
主要参数包括工作电源电压 5 V、频率范围 9 kHz to 7 GHz、技术 硅、类型 RMS and VSWR Detector、配置 Single、最大工作温度 + 85 C,采用 LFCSP-32 封装。Analog Devices · 封装:MSOP-10
采用 MSOP-10 封装。Analog Devices · 封装:SOT-6
主要参数包括高度 1 mm,采用 SOT-6 封装。Analog Devices · 封装:SOT-6
主要参数包括高度 1 mm,采用 SOT-6 封装。Analog Devices · 封装:MSOP-8
采用 MSOP-8 封装。Analog Devices · 封装:MSOP-10
采用 MSOP-10 封装。Analog Devices · 封装:MSOP-10
采用 MSOP-10 封装。Analog Devices · 封装:MSOP-8
采用 MSOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。