ATS2012-10DB-FD-T1
Susumu · 封装：0805 (2012 metric)
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 55 GHz、类型 Chip Attenuator、衰减 10 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.8，采用 0805 (2012 metric) 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录PAT0816-C-0DB-T5
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括最大频率 10 GHz、技术 Si、衰减 0 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.5、原产国家或地区 日本。PAT0816-C-10DB-T5
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括最大频率 10 GHz、技术 Si、衰减 10 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.5、原产国家或地区 日本。PAT0816-C-1DB-T5
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。PAT0816-C-2DB-T5
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括最大频率 10 GHz、技术 Si、衰减 2 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.5、原产国家或地区 日本。PAT0816-C-3DB-T5
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括最大频率 10 GHz、技术 Si、衰减 3 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.5、原产国家或地区 日本。PAT0816-C-4DB-T5
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括最大频率 10 GHz、技术 Si、衰减 4 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.5、原产国家或地区 日本。PAT0816-C-5DB-T5
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。PAT0816-C-6DB-T5
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。PAT0816-C-8DB-T5
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括最大频率 10 GHz、技术 Si、衰减 8 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.5、原产国家或地区 日本。PAT0816-C-9DB-T5
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。PAT1632-C-0DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。PAT1632-C-10DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括最大频率 3 GHz、技术 Si、衰减 10 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.3、原产国家或地区 日本。PAT1632-C-1DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括最大频率 3 GHz、技术 Si、衰减 1 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.3、原产国家或地区 日本。PAT1632-C-7DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。PAT1632-C-8DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。PAT1632-C-9DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。PAT3060H-C-10DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。PAT3060H-C-1DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。PXV1220S-10DBN1-T02
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。