2086-6010-13
MACOM
主要参数包括频率范围 1～18 GHz、类型 Biased and Zero Biased Schottky Detector。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录2086-6000-13
MACOM
主要参数包括频率范围 1～15 GHz、类型 Biased and Zero Biased Schottky Detector。2087-6001-00
MACOM
RF Detector 10MHz-18GHz 100mW -65C + 100C2086-6000-00
MACOM
主要参数包括频率范围 1～15 GHz、类型 Biased and Zero Biased Schottky Detector。HMC601LP4
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、频率范围 10～4000 MHz、类型 Logarithmic Detector/Controller、动态范围（dB） 75 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-24 封装。HMC611LP4
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、频率范围 1～10000 MHz、类型 Logarithmic Detector/Controller、动态范围（dB） 63 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-24 封装。LMH2100TM/NOPB
Texas Instruments · 封装：DSBGA-6
主要参数包括工作电源电压 2.7～3.3 V、输出电压范围 0.3～2 V、频率范围 50～4000 MHz、类型 Logarithmic Amp、动态范围（dB） 40 dB、配置 Single，采用 DSBGA-6 封装。LMV228TL/NOPB
Texas Instruments · 封装：DSBGA-4
主要参数包括工作电源电压 2.7～5 V、输出电压范围 0.2～2 V、频率范围 450～2000 MHz、类型 Logarithmic Amplifier Power Detector、动态范围（dB） 30 dB、配置 Single，采用 DSBGA-4 封装。LMV225TLX/NOPB
Texas Instruments · 封装：DSBGA-4
主要参数包括工作电源电压 2.7～5 V、频率范围 450～2000 MHz、类型 Logarithmic Amp、配置 Single、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 DSBGA-4 封装。LMV225UR/NOPB
Texas Instruments · 封装：DSBGA-4
主要参数包括工作电源电压 2.7～5 V、输出电压范围 0.2～2 V、频率范围 450～2000 MHz、类型 Logarithmic Amp、动态范围（dB） 30 dB、配置 Single，采用 DSBGA-4 封装。ZLNB254DEETA
Diodes Incorporated · 封装：TDFN2020-6
主要参数包括工作电源电压 3～8 V、频率范围 10～60 kHz、配置 Dual、最大二极管电容 100 pF、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 TDFN2020-6 封装。AD8314ARMZ-REEL7
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、类型 Logarithmic Amplifiers、动态范围（dB） 45 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 MSOP-8 封装。HMC1021LP4ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、频率范围 DC to 3.9 GHz、动态范围（dB） 70 dB、配置 Single、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-24 封装。AD8313ARMZ-REEL
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、类型 Logarithmic Amplifiers、动态范围（dB） 70 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、开发套件 AD8313-EVALZ，采用 MSOP-8 封装。AD8361ARMZ-REEL
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、频率范围 2500 MHz、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.85 mm、长度 3 mm，采用 MSOP-8 封装。ADL6010SCPZN-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-6
主要参数包括工作电源电压 5 V、频率范围 0.5～43.5 GHz、类型 Envelope Detector、动态范围（dB） 45 dB、最大二极管电容 100 pF、最大工作温度 + 125 C，采用 LFCSP-6 封装。MAX2016ETI+T
Maxim Integrated · 封装：TQFN-28
主要参数包括工作电源电压 5.25 V、频率范围 2.5 GHz、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、耗散功率（Pd） 2.8 W、型号别名 MAX2016，采用 TQFN-28 封装。AD8318SCPZ-EP-RL7
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括工作电源电压 4.5～5.5 V、类型 Logarithmic Amplifiers、动态范围（dB） 70 dB、耗散功率（Pd） 0.73 W，采用 LFCSP-16 封装。AD8302ARUZ-REEL
Analog Devices · 封装：TSSOP-14
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、类型 Logarithmic Amplifiers、动态范围（dB） 60 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、开发套件 AD8302-EVALZ，采用 TSSOP-14 封装。AD8315ARMZ-RL
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、类型 Detector/Controller、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 30 C、单件重量 0.004938 oz，采用 MSOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。