LMH2121TME/NOPB
Texas Instruments · 封装：DSBGA-4
主要参数包括工作电源电压 2.6～3.3 V、频率范围 100～3000 MHz、类型 Linear Fast-Responding、配置 Single、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 DSBGA-4 封装。射频与无线
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
20,447 条型号记录LMV228SD/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-6
主要参数包括工作电源电压 2.7～5 V、输出电压范围 0.2～2 V、频率范围 450～2000 MHz、类型 Logarithmic Amplifier Power Detector、动态范围（dB） 30 dB、配置 Single，采用 WSON-6 封装。CPDETLS-4000
Crystek Corporation · 封装：38.2 mm x 11.05 mm
主要参数包括频率范围 10 MHz to 4 GHz、最大二极管电容 100 pF、最大工作温度 + 70 C、最小工作温度 - 20 C，采用 38.2 mm x 11.05 mm 封装。R451075000
Radiall
主要参数包括最大工作温度 + 125 C、最小工作温度 - 55 C。LMV221SD/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-6
主要参数包括工作电源电压 2.7～3.3 V、输出电压范围 0.25～1.76 V、频率范围 50～3500 MHz、类型 Logarithmic Amp、动态范围（dB） 40 dB、配置 Single，采用 WSON-6 封装。LMV225SDX/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-6
主要参数包括工作电源电压 2.7～5 V、输出电压范围 0.2～2 V、频率范围 450～2000 MHz、类型 Logarithmic Amp、动态范围（dB） 30 dB、配置 Single，采用 WSON-6 封装。LTC5583IUF#PBF
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、频率范围 40 MHz to 6 GHz、类型 RMS Power Detector、动态范围（dB） 60 dB、配置 Dual、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-24 封装。LT5570IDD#PBF
Analog Devices · 封装：DFN-10
采用 DFN-10 封装。LTC5509ESC6#TRMPBF
Analog Devices · 封装：SC70-6
采用 SC70-6 封装。LTC5530ES6#TRMPBF
Analog Devices · 封装：SOT-6
主要参数包括工作电源电压 2.7～6 V、频率范围 300 MHz to 7 GHz、类型 RF Power Detector、动态范围（dB） 42 dB、配置 Single、最大二极管电容 33 pF，采用 SOT-6 封装。MAX9931EUA+
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.25 V、输出电压范围 0.15～2.75 V、频率范围 2～1600 MHz、类型 Logarithmic Amplifier Power Detector、动态范围（dB） 45 dB、配置 Single，采用 UMAX-8 封装。MAX9933EUA+
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.25 V、频率范围 2～1600 MHz、类型 Detector/Controller、动态范围（dB） 45 dB、最大二极管电容 0.5 pF、最大工作温度 + 85 C，采用 UMAX-8 封装。MAX9932EUA+
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.25 V、频率范围 2 MHz to 1.6 GHz、类型 Detector/Controller、动态范围（dB） 45 dB、配置 Single、最大二极管电容 0.5 pF，采用 UMAX-8 封装。MAX9930EUA+
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.25 V、频率范围 2 MHz to 1.6 GHz、类型 Detector/Controller、动态范围（dB） 45 dB、配置 Single、最大二极管电容 0.5 pF，采用 UMAX-8 封装。MAX9933EUA+T
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括类型 Detector/Controller、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.95 mm、长度 3.05 mm、宽度 3.05 mm，采用 UMAX-8 封装。HMC439QS16G
Analog Devices / Hittite · 封装：QSOP-16
主要参数包括工作电源电压 4.8 V, 5 V, 5.2 V、频率范围 10～1300 MHz、配置 Single、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、耗散功率（Pd） 4.25 W，采用 QSOP-16 封装。HMC909LP4ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、频率范围 DC to 5.8 GHz、动态范围（dB） 40 dB、配置 Single、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-24 封装。HMC713MS8ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：MSOP-8
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、频率范围 45～2700 MHz、类型 Logarithmic Detector/Controller、动态范围（dB） 54 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 MSOP-8 封装。ADL5502ACBZ-P7
Analog Devices · 封装：WLCSP-8
主要参数包括工作电源电压 2.5～3.3 V、频率范围 6000 MHz、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.33 mm、长度 1.46 mm，采用 WLCSP-8 封装。HMC1020LP4ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、频率范围 DC to 3.9 GHz、动态范围（dB） 72 dB、配置 Single、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。