LTC5582HDD#PBF
Analog Devices · 封装：DFN-10
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、频率范围 40 MHz to 10 GHz、类型 RMS Power Detector、动态范围（dB） 57 dB、配置 Single、最大工作温度 + 125 C，采用 DFN-10 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录LTC5564HUD#PBF
Analog Devices · 封装：QFN-16
采用 QFN-16 封装。LTC5535ES6#TRMPBF
Analog Devices · 封装：SOT-6
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、频率范围 600 MHz to 7 GHz、类型 RF Power Detector、动态范围（dB） 42 dB、配置 Single、最大二极管电容 33 pF，采用 SOT-6 封装。LT5538IDD#TRPBF
Analog Devices · 封装：DFN-8
采用 DFN-8 封装。LTC5505-1ES5#TRMPBF
Analog Devices · 封装：SOT-5
主要参数包括工作电源电压 2.7～6 V、频率范围 300 MHz to 3 GHz、类型 RF Power Detector、动态范围（dB） 40 dB、配置 Single、最大二极管电容 33 pF，采用 SOT-5 封装。HMC1120LP4ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、频率范围 DC to 3.9 GHz、动态范围（dB） 70 dB、配置 Single、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-24 封装。LTC5533EDE#PBF
Analog Devices · 封装：DFN-12
主要参数包括工作电源电压 2.7～6 V、频率范围 300 MHz to 11 GHz、类型 RF Power Detector、动态范围（dB） 40 dB、配置 Dual、最大二极管电容 33 pF，采用 DFN-12 封装。LTC5536ES6#TRMPBF
Analog Devices · 封装：SOT-6
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、频率范围 600 MHz to 7 GHz、类型 Precision RF Detector、动态范围（dB） 38 dB、配置 Single、最大工作温度 + 85 C，采用 SOT-6 封装。LTC5508ESC6#TRMPBF
Analog Devices · 封装：SC70-6
主要参数包括工作电源电压 2.7～6 V、频率范围 300 MHz to 7 GHz、类型 RF Power Detector、动态范围（dB） 44 dB、配置 Single、最大二极管电容 33 pF，采用 SC70-6 封装。LT5581IDDB#TRMPBF
Analog Devices · 封装：DFN-8
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.25 V、频率范围 10 MHz to 6 GHz、类型 RMS Power Detector、动态范围（dB） 40 dB、配置 Single、最大二极管电容 1000 pF，采用 DFN-8 封装。LTC4403-1EMS8#PBF
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括工作电源电压 2.7～6 V、频率范围 300 MHz to 2.4 GHz、类型 Multiband RF Power Controller、配置 Single、最大二极管电容 100 pF、最大工作温度 + 85 C，采用 MSOP-8 封装。MAX4001EUA+
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、输出电压范围 0.15～2.75 V、频率范围 100～2500 MHz、类型 Logarithmic Amplifier Power Detector、动态范围（dB） 45 dB、配置 Single，采用 UMAX-8 封装。ADL6010SCPZN
Analog Devices · 封装：LFCSP-6
主要参数包括工作电源电压 5 V、频率范围 0.5～43.5 GHz、类型 Envelope Detector、动态范围（dB） 45 dB、最大二极管电容 100 pF、最大工作温度 + 125 C，采用 LFCSP-6 封装。AD8315ARMZ
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、频率范围 100 MHz to 2.5 GHz、类型 Detector/Controller、动态范围（dB） 50 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 30 C，采用 MSOP-8 封装。HMC713MS8E
Analog Devices / Hittite · 封装：MSOP-8
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、频率范围 45～2700 MHz、技术 SiGe、类型 Logarithmic Detector/Controller、动态范围（dB） 54 dB、配置 Single，采用 MSOP-8 封装。HMC1010LP4E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、频率范围 DC to 3.9 GHz、类型 RMS Power Detector、动态范围（dB） 60 dB、配置 Single、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-24 封装。HMC1120LP4E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括单件重量 0.032741 oz，采用 QFN-24 封装。HMC1020LP4E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、频率范围 DC to 3.9 GHz、动态范围（dB） 72 dB、配置 Single、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-24 封装。MAX4003EUA+
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、输出电压范围 0.36～1.45 V、频率范围 100～2500 MHz、类型 Logarithmic Amplifier Power Detector、动态范围（dB） 45 dB、配置 Single，采用 UMAX-8 封装。MAX4000EUA+
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、输出电压范围 0.15～2.75 V、频率范围 100～2500 MHz、类型 Logarithmic Amplifier Power Detector、动态范围（dB） 45 dB、配置 Single，采用 UMAX-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。