HMC439QS16GE
Analog Devices / Hittite · 封装：QSOP-16
主要参数包括工作电源电压 4.8 V, 5 V, 5.2 V、频率范围 10～1300 MHz、技术 SiGe、配置 Single、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 QSOP-16 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录ADL5506ACBZ-R7
Analog Devices · 封装：WLCSP-6
主要参数包括工作电源电压 2.5～5.5 V、频率范围 30 MHz to 4.5 GHz、动态范围（dB） 45 dB、配置 Single、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 WLCSP-6 封装。AD8314ACPZ-RL7
Analog Devices · 封装：LFCSP-8
主要参数包括工作电源电压 3 V、类型 Logarithmic Amplifiers、动态范围（dB） 45 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 LFCSP-8 封装。ADL5906ACPZN-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括工作电源电压 4.75～5.25 V、频率范围 10～10000 MHz、类型 RMS Power Detector、动态范围（dB） 67 dB、配置 Single、最大工作温度 + 105 C，采用 LFCSP-16 封装。ADL5902ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括工作电源电压 5.5 V、频率范围 50 MHz to 9 GHz、类型 RMS Power Detector、动态范围（dB） 65 dB、配置 Single、最大二极管电容 100 pF，采用 LFCSP-16 封装。AD8318ACPZ-REEL7
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括工作电源电压 5 V、类型 Logarithmic Amplifiers、动态范围（dB） 70 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、湿敏性 是，采用 LFCSP-16 封装。ADL5519ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括工作电源电压 3.3～5.5 V、类型 Logarithmic Amplifiers、动态范围（dB） 62 dB、最大工作温度 + 125 C、最小工作温度 - 40 C、开发套件 ADL5519-EVALZ，采用 LFCSP-32 封装。AD8314ARMZ
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括工作电源电压 3 V、类型 Logarithmic Amplifiers、动态范围（dB） 45 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 MSOP-8 封装。MAX2016ETI+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-28
主要参数包括工作电源电压 5.25 V、频率范围 2.5 GHz、动态范围（dB） 80 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、耗散功率（Pd） 2.8 W，采用 TQFN-28 封装。LTC5507ES6#TRMPBF
Analog Devices · 封装：SOT-6
主要参数包括工作电源电压 2.7～6 V、频率范围 100 kHz to 1 GHz、类型 RF Power Detector、动态范围（dB） 48 dB、配置 Single、最大二极管电容 33 pF，采用 SOT-6 封装。LTC5507ES6#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOT-6
主要参数包括高度 1 mm，采用 SOT-6 封装。ADL5903ACPZN-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-8
主要参数包括工作电源电压 3～5 V、频率范围 200 MHz to 6 GHz、类型 TruPwr Detector、动态范围（dB） 35 dB、配置 Single、最大工作温度 + 125 C，采用 LFCSP-8 封装。LTC5582IDD#PBF
Analog Devices · 封装：DFN-10
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、频率范围 40 MHz to 10 GHz、类型 RMS Power Detector、动态范围（dB） 57 dB、配置 Single、最大工作温度 + 105 C，采用 DFN-10 封装。LT5537EDDB#TRMPBF
Analog Devices · 封装：DFN-8
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.25 V、频率范围 10～1000 MHz、类型 RF/IF Detector、动态范围（dB） 83 dB、配置 Single、最大工作温度 + 85 C，采用 DFN-8 封装。MAX2204EXK+T
Maxim Integrated · 封装：SC-70-5
主要参数包括类型 RF Power Detector、型号别名 MAX2204、单件重量 0.000705 oz，采用 SC-70-5 封装。LTC5564IUD#PBF
Analog Devices · 封装：QFN-16
采用 QFN-16 封装。LT5538IDD#PBF
Analog Devices · 封装：DFN-8
主要参数包括工作电源电压 3～5.25 V、频率范围 40 MHz to 3.8 GHz、类型 RF Power Detector、动态范围（dB） 75 dB、配置 Single、最大工作温度 + 85 C，采用 DFN-8 封装。LTC5587IDD#TRPBF
Analog Devices · 封装：DFN-12
采用 DFN-12 封装。LT5537EDDB#TRPBF
Analog Devices · 封装：DFN-8
采用 DFN-8 封装。LTC5531ES6#TRMPBF
Analog Devices · 封装：SOT-6
主要参数包括工作电源电压 2.7～6 V、频率范围 300 MHz to 7 GHz、类型 RF Power Detector、动态范围（dB） 42 dB、配置 Single、最大二极管电容 33 pF，采用 SOT-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。