ADL6010ACPZN-R2
Analog Devices · 封装：LFCSP-6
主要参数包括工作电源电压 5 V、频率范围 0.5～43.5 GHz、类型 Envelope Detector、动态范围（dB） 45 dB、最大二极管电容 100 pF、最大工作温度 + 85 C，采用 LFCSP-6 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录AD8302ARUZ
Analog Devices · 封装：TSSOP-14
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、类型 Logarithmic Amplifiers、动态范围（dB） 58 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、开发套件 AD8302-EVALZ，采用 TSSOP-14 封装。ADL5511ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括工作电源电压 4.75～5.25 V、频率范围 0 Hz to 6 GHz、类型 RMS Power Detector、动态范围（dB） 47 dB、配置 Single、最大工作温度 + 85 C，采用 LFCSP-16 封装。ADL5513ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、类型 Logarithmic Amplifiers、动态范围（dB） 80 dB、最大工作温度 + 125 C、最小工作温度 - 40 C、开发套件 ADL5513-EVALZ，采用 LFCSP-16 封装。AD8361ARMZ-REEL7
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、频率范围 100～2500 MHz、类型 RMS Power Detector、动态范围（dB） 30 dB、配置 Single、最大工作温度 + 85 C，采用 MSOP-8 封装。AD8317ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-8
主要参数包括工作电源电压 3～5.5 V、类型 Logarithmic Amplifiers、动态范围（dB） 55 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、开发套件 AD8317-EVALZ，采用 LFCSP-8 封装。ADL5501AKSZ-R7
Analog Devices · 封装：SC-70-6
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、频率范围 50 MHz to 6 GHz、类型 RMS Power Detector、动态范围（dB） 30 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 SC-70-6 封装。ADL5505ACBZ-P7
Analog Devices · 封装：WLCSP-4
主要参数包括工作电源电压 2.5～3.3 V、频率范围 450～6000 MHz、类型 RMS Power Detector、动态范围（dB） 35 dB、配置 Single、最大工作温度 + 85 C，采用 WLCSP-4 封装。ADL5500ACBZ-P7
Analog Devices · 封装：WLCSP-4
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、频率范围 6000 MHz、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.68 mm、长度 1 mm，采用 WLCSP-4 封装。LTC5532EDC#TRMPBF
Analog Devices · 封装：DFN-6
主要参数包括工作电源电压 2.7～6 V、频率范围 300 MHz to 7 GHz、类型 RF Detector、动态范围（dB） 42 dB、配置 Single、最大二极管电容 33 pF，采用 DFN-6 封装。HMC439QS16GETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QSOP-16
主要参数包括工作电源电压 5 V、频率范围 10～1300 MHz、配置 Single、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、耗散功率（Pd） 4.25 W，采用 QSOP-16 封装。HMC602LP4E
Analog Devices / Hittite · 封装：LP4-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、频率范围 1～8000 MHz、技术 SiGe、类型 Logarithmic Detector/Controller、动态范围（dB） 70 dB、配置 Single，采用 LP4-24 封装。MAX2014ETA+T
Maxim Integrated · 封装：TDFN-8
主要参数包括类型 Logarithmic Detector/Controller、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.75 mm、长度 3.1 mm、宽度 3.1 mm，采用 TDFN-8 封装。AD8319ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-8
主要参数包括工作电源电压 3～5.5 V、类型 Logarithmic Amplifiers、动态范围（dB） 45 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、开发套件 AD8319-EVALZ，采用 LFCSP-8 封装。AD8312ACBZ-P7
Analog Devices · 封装：WLCSP-6
主要参数包括工作电源电压 3 V、频率范围 50 MHz to 3.5 GHz、类型 Logarithmic Amplifier Power Detector、动态范围（dB） 45 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 WLCSP-6 封装。AD8361ARMZ
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、频率范围 100～2500 MHz、类型 RMS Power Detector、动态范围（dB） 30 dB、配置 Single、最大工作温度 + 85 C，采用 MSOP-8 封装。AD8363ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括工作电源电压 4.5～5.5 V、频率范围 6000 MHz、最大工作温度 + 125 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.83 mm、长度 4 mm，采用 LFCSP-16 封装。LMH2110TM/NOPB
Texas Instruments · 封装：DSBGA-6
主要参数包括工作电源电压 2.7～5 V、输出电压范围 3 mV to 1.96 V、频率范围 50～8000 MHz、类型 Logarithmic RMS、动态范围（dB） 45 dB、配置 Single，采用 DSBGA-6 封装。AD8362ARUZ-REEL7
Analog Devices · 封装：TSSOP-16
主要参数包括工作电源电压 4.5～5.5 V、频率范围 3800 MHz、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.05 mm (Max)、长度 5 mm，采用 TSSOP-16 封装。AD8313ARMZ
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、类型 Logarithmic Amplifiers、动态范围（dB） 70 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、开发套件 AD8313-EVALZ，采用 MSOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。