MACP-010571-TR1000
MACOM · 封装：TDFN-6
主要参数包括工作电源电压 8 V、频率范围 2～6 GHz、技术 GaAs、类型 Directional Detector、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 TDFN-6 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录ADL5920ACPZ
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括工作电源电压 5 V、频率范围 9 kHz to 7 GHz、技术 硅、类型 RMS and VSWR Detector、配置 Single、最大工作温度 + 85 C，采用 LFCSP-32 封装。MACP-010572-TR1000
MACOM · 封装：TDFN-6
主要参数包括工作电源电压 8 V、频率范围 6～18 GHz、技术 GaAs、类型 Directional Detector、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 TDFN-6 封装。MACP-010573-TR1000
MACOM · 封装：TDFN-6
主要参数包括工作电源电压 8 V、频率范围 10～30 GHz、技术 GaAs、类型 Directional Detector、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 TDFN-6 封装。MADT-011000-TR1000
MACOM · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 4.5 V、频率范围 5～44 GHz、类型 Power Detector、动态范围（dB） 30 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 封装。MADT-011000-DIE
MACOM · 封装：Die
主要参数包括工作电源电压 4.5 V、频率范围 5～44 GHz、类型 Power Detector、动态范围（dB） 30 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 Die 封装。LTC5596IDC#TRMPBF
Analog Devices · 封装：DFN-8
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、频率范围 100 MHz to 40 GHz、类型 RMS Power Detector、动态范围（dB） 35 dB、配置 Single、最大工作温度 + 105 C，采用 DFN-8 封装。ADL5904ACPZN-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、频率范围 DC to 6 GHz、类型 RF Power Detector、动态范围（dB） 45 dB、配置 Single、最大二极管电容 100 pF，采用 LFCSP-16 封装。ADL5910ACPZN-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、频率范围 DC to 6 GHz、类型 Detector/Trigger、动态范围（dB） 37 dB、配置 Single、最大工作温度 + 105 C，采用 LFCSP-16 封装。SMSA7630-061
Skyworks Solutions, Inc.
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。MAX4003EUA+T
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括工作电源电压 5 V、频率范围 100 MHz to 2.5 GHz、类型 Logarithmic Amplifier Power Detector、动态范围（dB） 45 dB、配置 Quad Bridge、最大二极管电容 5 pF，采用 UMAX-8 封装。AD8364ACPZ-REEL7
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括工作电源电压 4.5～5.5 V、频率范围 2700 MHz、类型 RMS Power Detector、动态范围（dB） 60 dB、配置 Dual、最大工作温度 + 85 C，采用 LFCSP-32 封装。AD8362ARUZ
Analog Devices · 封装：TSSOP-16
主要参数包括工作电源电压 4.5～5.5 V、输出电压范围 0.1～4.9 V、频率范围 50 Hz to 3800 MHz、类型 RMS Power Detector、动态范围（dB） 65 dB、配置 Single，采用 TSSOP-16 封装。AD8361ARTZ-RL7
Analog Devices · 封装：SOT-23-6
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、频率范围 100～2500 MHz、类型 RMS Power Detector、动态范围（dB） 30 dB、配置 Single、最大工作温度 + 85 C，采用 SOT-23-6 封装。AD8313ARMZ-REEL7
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、类型 Logarithmic Amplifiers、动态范围（dB） 70 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、开发套件 AD8313-EVALZ，采用 MSOP-8 封装。LT5534ESC6#TRPBF
Analog Devices · 封装：SC70-6
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.25 V、频率范围 50 MHz to 3 GHz、类型 RF Power Detector、动态范围（dB） 60 dB、配置 Single、最大工作温度 + 85 C，采用 SC70-6 封装。2085-6013-13
MACOM
RF Detector .85-6GHz 18pF VSWR 3:2LMH2110TMX/NOPB
Texas Instruments · 封装：DSBGA-6
主要参数包括工作电源电压 2.7～5 V、频率范围 50～8000 MHz、类型 Logarithmic RMS、配置 Single、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 DSBGA-6 封装。AD8302ARUZ-RL7
Analog Devices · 封装：TSSOP-14
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、类型 Logarithmic Amplifiers、动态范围（dB） 60 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、开发套件 AD8302-EVALZ，采用 TSSOP-14 封装。LTC5583IUF#TRPBF
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、频率范围 40 MHz to 6 GHz、类型 RMS Power Detector、动态范围（dB） 60 dB、配置 Dual、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。