73287-0749
Molex
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 18 GHz、最小频率 DC、衰减 8 dB、阻抗 50 Ω、原产国家或地区 美国。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录73287-0750
Molex
该型号为衰减器，主要参数包括原产国家或地区 美国、型号别名 732870750 0732870750。TFA32C03DBER
Ohmite
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 20 GHz、技术 Thin Film、衰减 3 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.5。TFA32C04DBER
Ohmite
该型号为衰减器，主要参数包括原产国家或地区 日本、单件重量 0.000317 oz。TFA32C05DBER
Ohmite
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 20 GHz、技术 Thin Film、衰减 5 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.5。TFA32C06DBER
Ohmite
该型号为衰减器，主要参数包括原产国家或地区 日本、单件重量 0.000317 oz。TFA32C07DBER
Ohmite
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 20 GHz、技术 Thin Film、衰减 7 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.5。TFA32C08DBER
Ohmite
该型号为衰减器，主要参数包括原产国家或地区 日本、单件重量 0.000317 oz。TFA32C09DBER
Ohmite
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 20 GHz、技术 Thin Film、衰减 9 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.5。TFA32C10DBER
Ohmite
该型号为衰减器，主要参数包括原产国家或地区 日本、单件重量 0.000317 oz。EK43610-01
pSemi
该型号为衰减器，主要参数包括原产国家或地区 美国。EK43614-01
pSemi
该型号为衰减器，主要参数包括原产国家或地区 美国。PE4312C-Z
pSemi · 封装：QFN-20
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.3～5.5 V、最大频率 4 GHz、最小频率 1 MHz、技术 Si、类型 数字步进衰减器，采用 QFN-20 封装。PE4314B-Z
pSemi · 封装：QFN-20
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、最大频率 2.5 GHz、最小频率 1 MHz、技术 Si、类型 数字步进衰减器，采用 QFN-20 封装。PE43205B-Z
pSemi · 封装：QFN-12
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.3～55 V、最大频率 6 GHz、最小频率 35 MHz、技术 Si、类型 数字步进衰减器，采用 QFN-12 封装。PE43508A-V
pSemi · 封装：Die
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、最大频率 55 GHz、最小频率 9 kHz、技术 Si、类型 数字步进衰减器，采用 Die 封装。PE43610A-X
pSemi · 封装：LGA-24
该型号为衰减器，主要参数包括工作电源电压 2.3～5.5 V、最大频率 13 GHz、最小频率 9 kHz、类型 RF Digital Step Attenuator、衰减 31.5 dB、位数 6 位，采用 LGA-24 封装。PE43614A-X
pSemi · 封装：LGA-24
该型号为衰减器，主要参数包括工作电源电压 2.3～5.5 V、最大频率 45 GHz、最小频率 9 kHz、类型 RF Digital Step Attenuator、衰减 31.5 dB、位数 6 位，采用 LGA-24 封装。PE43620A-Z
pSemi · 封装：QFN-12
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、最大频率 3 GHz、最小频率 50 MHz、技术 Si、类型 数字步进衰减器，采用 QFN-12 封装。PE43650A-Z
pSemi · 封装：QFN-24
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V, 5 V、最大频率 6 GHz、最小频率 9 kHz、技术 Si、类型 数字步进衰减器，采用 QFN-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。