MMBT5179
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 25、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V，采用 SOT-23-3 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MMBTH81
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 600 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V，采用 SOT-23-3 封装。NSVF4009SG4T1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国、单件重量 0.000233 oz。NSVF4015SG4T1G
onsemi · 封装：SC-82FL-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 10 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V，采用 SC-82FL-4 封装。NSVF5488SKT3G
onsemi · 封装：SOT-623-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 7 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 90、最大集电极－发射极电压（VCEO） 10 V，采用 SOT-623-3 封装。NSVF5501SKT3G
onsemi · 封装：SOT-623-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 5.5 GHz、技术 Si、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 10 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 SOT-623-3 封装。NSVFSB560ALT1G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 40 at 2 A, 2 V、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。NSVMMBTH10LT1G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 中国，采用 SOT-23-3 封装。2N6439
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。MAX2602ESA+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 17 V，采用 SOIC-8 封装。MAX2601ESA+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 17 V，采用 SOIC-8 封装。MAX2601ESA+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 17 V，采用 SOIC-Narrow-8 封装。MAX2602ESA+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 17 V，采用 SOIC-8 封装。15GN03MA-TL-E
onsemi · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.5 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 10 V，采用 SC-70-3 封装。15GN03CA-TB-E
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.5 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 10 V，采用 SOT-23-3 封装。MRF422MP
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。MRF429
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH、单件重量 0.892167 oz。MRF448A
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。MRF455MP
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。MRF587
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。