2731GN-200M
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录2729GN-270
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。PH3135-20M
MACOM · 封装：Ceramic-2
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 3.5 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V，采用 Ceramic-2 封装。2731GN-110M
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。PH3134-9L
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。MAPRST1214-6UF
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.2～1.4 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 NPN、最大工作温度 + 200 C、配置 Single。BFP182RE7764HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-143-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 182R BFP BFP182RE7764XT E7764 SP000011016，采用 SOT-143-4 封装。MAPR-002729-170M00
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。PH1617-4N
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。PH3135-5S
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。PH3134-55L
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。3135GN-170M
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。PH1516-30
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。BFR 840L3RHESD E6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 BFR840L3RHESDE6327XTSA1 BFR84L3RHESDE6327XT SP000978848。BFP 450 H6433
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、型号别名 BFP450H6433XTMA1 BFP45H6433XT SP000745272。PH3135-65M
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。MS1008MP
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。BFY64004PZZZA1
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 (P) BFY640-04 BFY64004PNZ SP000668264。JANTXV2N2857UB/TR
Microchip / Microsemi · 封装：UB-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 UB-3 封装。NE97733-T1-A
Renesas Electronics · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 PNP、连续集电极电流 - 0.05 A、配置 Single，采用 SOT-23 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。