BFU520YF
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 934067715135、单件重量 0.000195 oz。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录BFU550VL
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 934067704235、单件重量 0.000314 oz。3135GN-100M
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。BFU530XRVL
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 934067712235、单件重量 0.000311 oz。BFU530VL
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 934067703235、单件重量 0.000314 oz。BFU530XVL
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 934067707235、单件重量 0.000313 oz。BFU520VL
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 934067702235、单件重量 0.000314 oz。BFU520XRVL
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 934067711235、单件重量 0.000311 oz。BFU520XVL
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 934067706235、单件重量 0.000313 oz。MT3S113(TE85L,F)
Toshiba · 封装：TO-236-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 12.5 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 200、最大集电极－发射极电压（VCEO） 5.3 V，采用 TO-236-3 封装。HFA3127RZ96
Renesas / Intersil · 封装：QFN EP
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 8000 MHz (Typ)、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 40，采用 QFN EP 封装。MAPRST1030-1KS
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。PH1516-60
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。PH1516-100
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。PH3134-75S
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。PH3134-30S
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。PH1214-25S
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。MAPRST1214-30UF
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2729GN-150
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。BFR740EL3E6829XTSA1
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 740EL3 BFR E6829 SP001588574。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。