BLV32F
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：316-01
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 224 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 20，采用 316-01 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MRF1004MB
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：332A-03
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1090 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 10，采用 332A-03 封装。ASMA201
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。TPV595A
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 860 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 10。SD1013-03
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：M113
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 150 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 10，采用 M113 封装。PH1090-75L
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。PH1090-350L
MACOM · 封装：Ceramic-2
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.09 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V，采用 Ceramic-2 封装。MRF315A
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：145A-09
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 200 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 5，采用 145A-09 封装。MX0912B251Y
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。BLW85
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：SOT-123
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 10，采用 SOT-123 封装。BLV10
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：SOT-123
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 10，采用 SOT-123 封装。MRF5174
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：Case244-04
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 400 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 20，采用 Case244-04 封装。SD1492
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：M175
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 860 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 15，采用 M175 封装。MS1008
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：M164
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 30 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 15，采用 M164 封装。PH1214-80M
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。BLV11
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：SOT-123
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 250 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 10，采用 SOT-123 封装。MRF240A
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：SOT-123
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 160 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 10，采用 SOT-123 封装。MZ0912B50Y
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。BLV33
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：SOT-147
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 224 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 15，采用 SOT-147 封装。MAX2602ESA+T
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。