2SC2714-O(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、工作频率 550 MHz (Typ)、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 FM Frequency Amplifier、晶体管极性 NPN，采用 SC-59-3 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录BLX98
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 40～860 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V。BLX13C
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：SOT-120
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 28 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 10，采用 SOT-120 封装。TPV596
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：244-04
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 860 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 15，采用 244-04 封装。MT3S113TU,LF
Toshiba · 封装：UFM-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 11.2 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 200、最大集电极－发射极电压（VCEO） 5.3 V，采用 UFM-3 封装。BFU550AVL
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 934067699235、单件重量 0.000266 oz。BFU550XRVL
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 934067713235、单件重量 0.000311 oz。ASMA203
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。BFU530XAR
NXP Semiconductors · 封装：SOT143B-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Wideband、类型 Wideband RF Transistor、晶体管极性 NPN，采用 SOT143B-4 封装。UML3
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。MRF557T
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。ASMA601
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。BLV34
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 225 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、最小直流电流增益（hfe） 25、最大集电极－发射极电压（VCEO） 75 V。ASMA202
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。AUNA202
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。BF 888 H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-343
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 250、最大集电极－发射极电压（VCEO） 4 V，采用 SOT-343 封装。PH2731-75L
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。MT3S113P(TE12L,F)
Toshiba · 封装：SC-62-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 7.7 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 200、最大集电极－发射极电压（VCEO） 5.3 V，采用 SC-62-3 封装。SD1143-01
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：M113
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 5，采用 M113 封装。MAPR-000912-500S00
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。