BFU520YX
NXP Semiconductors · 封装：SOT363-6
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Wideband、类型 Wideband RF Transistor、晶体管极性 NPN，采用 SOT363-6 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MRF448
MACOM · 封装：211-11
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 30 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 10，采用 211-11 封装。MRF455
MACOM · 封装：211-07
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 30 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 10，采用 211-07 封装。BFT25A,215
NXP Semiconductors · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 5000 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 SOT-23 封装。TH430
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：M177
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 30 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 15，采用 M177 封装。MRF314
MACOM · 封装：211-07
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 200 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 20，采用 211-07 封装。2SC5551AF-TD-E
ON Semiconductor · 封装：PCP-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 90、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 2 V，采用 PCP-3 封装。BFQ790H6327XTSA1
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 790 BFQ H6327 SP001078878。BFU520AR
NXP Semiconductors · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Wideband、类型 Wideband RF Transistor、晶体管极性 NPN，采用 SOT-23-3 封装。BFU610F,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-343F
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 90、最大集电极－发射极电压（VCEO） 5.5 V，采用 SOT-343F 封装。HFA3101BZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 10000 MHz (Typ)、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 40，采用 SOIC-8 封装。HFA3134IHZ96
Renesas / Intersil · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 8500 MHz (Typ)、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 48，采用 SOT-23 封装。BFR 460L3 E6327
Infineon Technologies · 封装：TSLP
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 22000 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 4.5 V，采用 TSLP 封装。BFS483H6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 483 BFS BFS483H6327XT H6327 SP000750464、单件重量 0.000265 oz，采用 SOT-363-6 封装。BFU550XAR
NXP Semiconductors · 封装：SOT143B-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Wideband、类型 Wideband RF Transistor、晶体管极性 NPN，采用 SOT143B-4 封装。BFP 620 H7764
Infineon Technologies · 封装：SOT-343
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 65 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 110，采用 SOT-343 封装。BFR 380F H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、型号别名 BFR380FH6327XTSA1 BFR38FH6327XT SP000750444。BFP650FH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSFP-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 650F BFP BFP65FH6327XT H6327 SP000750408、单件重量 0.000066 oz，采用 TSFP-4 封装。BFR380L3E6327XTMA1
Infineon Technologies · 封装：TSLP-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 14 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 90、最大集电极－发射极电压（VCEO） 6 V，采用 TSLP-3 封装。BFP740FH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSFP-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 740F BFP BFP74FH6327XT H6327 SP000750416，采用 TSFP-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。