BFR 740L3RH E6327
Infineon Technologies · 封装：TSLP
该型号为晶体管，主要参数包括技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、晶体管极性 NPN、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 TSLP 封装。射频与无线
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
20,447 条型号记录BFQ18A,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-89
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 4000 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 18 V，采用 SOT-89 封装。HFA3102BZ96
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-14
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 10000 MHz (Typ)、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 40，采用 SOIC-14 封装。HFA3046BZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-14
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 8000 MHz (Typ)、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 40，采用 SOIC-14 封装。MRF10031
MACOM · 封装：332A-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.215 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 20，采用 332A-3 封装。MRF392
MACOM · 封装：744A-01
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、最小直流电流增益（hfe） 40、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V，采用 744A-01 封装。PH1090-175L
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。PH1214-25M
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。BFS17PE6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 17P BFS BFS17PE6327XT E6327 SP000011073、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BFP420H6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 420 BFP BFP42H6327XT H6327 SP000745260、单件重量 0.000226 oz，采用 SOT-343-4 封装。BFR 93A E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、发射极－基极电压（VEBO） 2 V，采用 SOT-23 封装。SD1485
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：M175
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 170～230 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 20，采用 M175 封装。MRF587
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：Case244-04
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 Case244-04 封装。MRF454
MACOM · 封装：211-11
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 30 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 40，采用 211-11 封装。BFP650H6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 650 BFP BFP65H6327XT H6327 SP000750406、单件重量 0.000243 oz，采用 SOT-343-4 封装。SD1407
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：SOT-123
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 30 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 10，采用 SOT-123 封装。BFS 17P E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 20、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 2.5 V、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-23 封装。BFP450H6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 450 BFP BFP45H6327XT H6327 SP000745270、单件重量 0.000226 oz，采用 SOT-343-4 封装。BFU550AR
NXP Semiconductors · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Wideband、类型 Wideband RF Transistor、晶体管极性 NPN，采用 SOT-23-3 封装。BFU690F,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-343F
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 90、最大集电极－发射极电压（VCEO） 5.5 V，采用 SOT-343F 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。